Слой - висмут
Cтраница 1
Слой висмута в диодах серии А и слой кадмия в диодах серии Г служат не только источником необходимых примесей в селен, но и уменьшают переходные сопротивления между слоями селена и нижними электродами. [1]
 |
Селеновые вентиль и столбики. а - схема устройства вентиля. б - сборка вентилей в столбик с помощью болта. [2] |
На подкладку наносится слой висмута 2, а затем слой кристаллического серого селена 3 толщиной 30 - 80 мкм. [3]
 |
Счетчик для измерения жесткого р-излучения радиоактивных жидкостей ( например, Рэ. и т. п.. катод которого представляет собой слой висмута, нанесенный на внутреннюю поверхности оболочки. [4] |
Схема устройства: / - слой висмута, нанесенный, например, испарением в вакууме ( см. гл. [5]
В рассмотренной конструкции термоэлемента толщина слоя висмута не должна превышать 0.2 - 0.3 мм, так как в противном случае этот слой будет обладать заметным электрическим сопротивлением. В качестве демпфирующего слоя можно использовать тонкие свинцовые прокладки, помещенные между полупроводником и коммутационными пластинами. [6]
При плотности тока 2 0 а / дм2 за 15 мин на поверхности детали осаждается слой висмута толщиной 10 - 12 мк. [7]
Селеновый вентиль представляет собой алюминиевую пластинку ( нижний электрод), на которую в вакууме нанесен слой висмута ( для лучшего контактирования селена с алюминием), а затем слой селена. После термической обработки между верхним электродом и селеном образуется запирающий слой, обладающий очень малым сопротивлением IB направлении от селена к верхнему электроду и во много раз большим сопротивлением при обратном направлении тока. [8]
Селеновый вентиль представляет собой алюминиевую пластинку ( нижний электрод), на которую в вакууме нанесен слой висмута ( для лучшего контактирования селена с алюминием), а затем слой селена. После термической обработки между верхним эектродом и селеном образуется запирающий слой, обладающий очень малым сопротивлением в направлении от селена к верхнему электроду и во много раз большим сопротивлением при обратном направлении тока. [9]
Селеновые вентили выполняются в виде металлических дисков или пластин из мягкой стали ( алюминия), на которые наносится слой висмута, а затем слой кристаллического серого селена толщиной 30 - 80 мк. Кристаллический серый селен является полупроводником с дырочной проводимостью. На слой селена напыляется контактный сплав из кадмия и олова, а иногда из кадмия и висмута. При непосредственном контакте селена со сплавом, содержащим кадмий, образуется слой селенида кадмия, являющийся полупроводником с электронной проводимостью. Между этим слоем и селеном образуется p - n - переход, определяющий вентильные свойства элемента. В селеновых вентилях прямой ток течет от селена к напыленному контактному сплаву. [10]
В) Единственный факт вызванного ультрафиолетовым облучением замедления роста давления при десорбции с металла был отмечен П. Е. Валь-невым для смеси газов СО О2, десорбировавшейся с распыленного слоя висмута в вакууме. В газообразном состоянии ни СО, ни О2 не поглощают применявшуюся радиацию. Следовательно, можно предполагать здесь действие света на измененные в результате адсорбции молекулы О2 и СО. Существование карбонила Висмута неизвестно, а потому СО могла образовать только поверхностное соединение. [11]
Анод селенового вентиля ( рис. 2 - 5 о) выполнен в виде металлического диска или пластины / из мягкой стали или алюминия, на которые наносится слой висмута 2, а затем слой кристаллического серого селена 3 толщиной 30 - 80 мкм. Кристаллический серый селен является полупроводником с дырочной проводимостью. На селен напиливается контактный сплав 4 из кадмия и олова, а иногда из кадмия и висмута, - выполняющий функции катода. [12]
 |
Аппарат для нанесения селена на алюминиевые шайбы испарением в вакууме ( Heraeus, Ханау, ФРГ. также 10 - 212В. [13] |
Первые этапы изготовления селеновых фотоэлементов аналогичны процессам изготовления выпрямителей ( VEB Carl Zeiss, Jena): круглые или прямоугольные алюминиевые пластинки, предварительно покрытые в высоком вакууме слоем висмута толщиной 1 мк, покрывают, как было описано выше, слоем селена, активированного бромом ( 0 001 - 0 005 % вес. [14]
Открытием крана регулируют скорость протекания раствора через редуктор в пределах 4 - 8 мл / мин, дают раствору стечь до уровня на 2 - 3 мм выше уровня слоя висмута, после чего промывают редуктор 3 раза 6 N H2SO4 порциями по 15 - 20 мл, не обнажая слоя металлического висмута. [15]
Страницы: 1 2