Слой - висмут
Cтраница 2
В узкую часть 50-миллилитровой бюретки непосредственно над краном помещают тонкий слой стеклянной ваты. Насыпают слой порошкообразного висмута высотой 100 мм, измельченного до частиц диаметром 0 3 - 0 6 мм. [16]
В настоящее время чаще используют селеновые выпрямители, представляющие собой основание в виде стальной или алюминиевой пластины. Основание никелируют или покрывают слоем висмута. После этого на него наносят слой селена, поверх которого накладывают слой олова с кадмием. Селен обладает р-проводимостью, а селен с примесью кадмия - ге-проводимостью. Проводящим является направление от стали или алюминия к кадмию. [17]
 |
Аппарат для нанесения селена на алюминиевые шайбы испарением в вакууме ( Heraeus, Ханау, ФРГ. также 10 - 212В. [18] |
Толщина этих пластинок составляет 0 8 мм; их предварительно обезжиривают трихлорэтиленом. С и покрывают в высоком вакууме Слоем висмута толщиной 0 3 мк. Висмут при напылении нагревают до 570 С. [19]
Это связано, по-видимому, с малой толщиной слоя висмута. В итоге экспериментальных исследований были изготовлены генераторы с пятью термоэлементными слоями, однако проблема коротких замыканий осталась нерешенной. [20]
 |
Конструкция пленочной термобатареи.| Конфигурация пленочного Bi - Sb-приемника. 1 2 - ветви термопар. 3 - рабочий спай. 4 - коммутационная висмутовая пленка. 5 - контактные площадки. [21] |
Конструкция батареи приведена на рис. XIV. На пленку из майлара толщиной 2 2 мкм напылен слой висмута и сурьмы. Тепло от холодных спаев батареи отводится к алюминиевому кольцу. [22]
В переработку на химические заводы поступают технологические отходы - бракованные элементы ABC и ТВС. Первые изготовлены из алюминия толщиной 0 8 мм, на одну сторону которого нанесены последовательно слои висмута толщиной 1 - 2 мкм, селена - 40 - 60 и сплава олова с кадмием ( шоопсплава) - 40 - 80 мкм. Вторые - такие же, но слой селена равен 70 - 80 мкм, а шооп-сплав заменен алюминиевой фольгой толщиной 40 - 120 мкм. Кроме того, на переработку поступает полоса, об-резь и высечка. [23]
Экспериментально установлен фотораспад молекул воды; адсорбированных на распыленных слоях цинка и кадмия ( но не сурьмы и висмута); фотораспад молекул аммиака, адсорбированных на активной окиси алюминия, при величине квантов освещающего света значительно меньшей, чем при фотораспаде газообразного аммиака; образование метальных радикалов при фотораспаде молекул ацетона и диацетила, адсорбированных на распыленном слое висмута и др. Фотораспад с образованием устойчивых продуктов может быть установлен манометрическим методом. Одним из чувствительных методов обнаружения фотораспада молекул, адсорбированных на полупроводнике, является изменение поверхностной люминесценции или поверхностного фотоэффекта, возникающее в результате появления на поверхности активных продуктов распада. [24]
Кратковременное экспонирование композиции, достаточное для превращена хинондиазида в инденкарбоновую кислоту, дает после щелочного проявлена нормальное позитивное изображение. После десятикратной экспозиции чере; тот же контактный шаблон н последующего кратковременного облучения всег слоя первоначально засвеченные участки уже не способны растворяться в ще лочи в отличие от остального слоя, что при щелочном проявлении дает нега тивное изображение оригинала. Это происходит потому, что нитрон при дли тельном фотолизе сшивает компоненты слоя, что приводит к эффекту обра щения. Разработка рекомендована для создания очень контрастных рельефо; в микроэлектронике. Подложкой служит слой висмута толщиной примерш 150 мкм с оптической плотностью 4, напыленной в вакууме на пленку поли этилентерефталата толщиной 0 1 мм. Травитель-12 % - ный раствор РеСЦ, со держащий 1 % лимонной кислоты. [25]
Кратковременное экспонирование композиции, достаточное для превращения хинондиазида в инденкарбоновую кислоту, дает после щелочного проявления нормальное позитивное изображение. После десятикратной экспозиции через тот же контактный шаблон и последующего кратковременного облучения всего слоя первоначально засвеченные участки уже не способны растворяться в щелочи в отличие от остального слоя, что при щелочном проявлении дает негативное изображение оригинала. Это происходит потому, что нитрон при длительном фотолизе сшивает компоненты слоя, что приводит к эффекту обращения. Разработка рекомендована для создания очень контрастных рельефов в микроэлектронике. Подложкой служит слой висмута толщиной примерно 150 мкм с оптической плотностью 4, напыленной в вакууме на пленку поли-этилентерефталата толщиной 0 1 мм. Травитель - 12 % - ный раствор РеС13, содержащий 1 % лимонной кислоты. [26]
 |
Расположение слоев Bi.| Расположение атомов в слоях квинтетов. [27] |
Что же представляет собой теллурид висмута. В этом отношении он перспективен. Как видно из рис. 2, пять соседних слоев объединены в квинтет, в котором слои атомов висмута и теллура чередуются. В квинтете атомы связаны сильными ковалентными связями с небольшой долей ионно-сти. Ионная компонента обусловлена разной валентностью теллура и висмута: 6-валентный теллур отдает электроны 5-валентному висмуту, поэтому слои висмута заряжены отрицательно, а слои теллура - положительно. Граничащие между собой внешние слои квинтетов связаны слабыми ван-дер-ваальсовскими связями, поэтому кристаллы теллурида висмута легко раскалываются по границам квинтетов, образующих плоскости спайности. Смешанная химическая связь в тел-луриде висмута благоприятна для получения высокой термоэлектрической эффективности. [28]
Из этих веществ изготавливаются тонкие слои, к которым присоединяются металлические электроды. При этом либо на одном из контактов, либо в самом полупроводнике создается запорный слой. Если теперь обеспечить генерацию носителей светом в области запорного слоя, то за счет разделения носителей контактным полем на внешних электронах фотоэлемента при его освещении возникает фото-э. В фотоэлементах с запорным слоем на границе металл - полупроводник это можно сделать, освещая запорный слой как через полупроводник, так и через полупрозрачный металлический электрод. В случае рис. И 8 а электрод в форме кольца обеспечивает прохождение света к запорному слою на границе между селеном и железным электродом. В случае рис. 118 5 запорный слой образуется на границе между прозрачной золотой пленкой и селеном. Железная пластинка при этом покрывается слоем висмута или никеля, чем гарантируется хороший омический контакт с селеном. [29]
Страницы: 1 2