Слой - тип
Cтраница 1
Слой типа р имеет дырочную проводимость, а слой типа п - электронную. [1]
Слои типа числу простых примеров относятся слоистые структуры кристаллических H2SO4 и H2SeO4 ( разд. [2]
Слои типов II-IV и Villa не допускаются в помещениях малых размеров, а также при наличии фундаментов под оборудование, накатов и других устройств, выступающих над полом, поскольку это препятствует укатке пола тяжелыми механическими катками. Слои типов I-III, V и VI не допускаются в полах, подвергающихся интенсивному воздействию воды, кислот, щелочей или их растворов. [3]
Слой типа Ап не может встретиться в квазиэллиптическом расслоении, так как множество точек базы, в слоях над которыми особая точка имеет разделенные касательные, должно быть открытым. Из условий ( а) и ( б) следует, что слои Din i, EQ и ( сЗ) тоже не могут иметь место, а слой D n кривая сг пересекает в средней компоненте. Взяв кривые этой подсистемы с соответствующими кратностями, мы получим эффективный дивизор с квадратом нуль. По теореме Римана - Роха он будет слоем эллиптического или квазиэллиптического пучка, что невозможно. Аналогично слой D n при п 3 приводит к системе ЕТ. [4]
Слои типа Кальвар удобны с точки зрения их обработки: сухой, достаточно быстрый процесс. По разрешающей способности эти слои уступают галоидно-серебряным, а при высоких апертурах осветительных пучков резко падает контраст изображения. Существенным преимуществом этих материалов является низкая стоимость бессеребряного слоя. [5]
 |
Электронно-дырочный переход при наличии канала на поверхности п-типа.| Объемный заряд электронно-дырочного перехода при наличии инверсного слоя. [6] |
Слой инверсного типа проводимости на поверхности полупроводника может явиться каналом, по которому неосновные носители из объема транспортируются в область полупроводника противоположного типа проводимости. На рис. 7 - 10 изображен электронно-дырочный переход с инверсным слоем на поверхности полупроводника п-типа. [7]
Структуры, содержащие только слои типа в. Из-за того что размеры слоя брусита ( Mg ( OH) 2), являющегося частью составного слоя, не совсем точно соответствуют размерам слоя Si2Os, происходит скручивание слоев, так что более объемная брусито-ая часть оказывается снаружи. Волокна хризотила построены из скрученных лепт, образующих цилиндры длиной в несколько тысяч ангстрем с внешним диаметром в несколько сотен ангстрем, стенки которых содержат около дюжины слоев [19]; топкие детали строения хризотила, а также природа вещества, заполняющего цилиндры, пока неизвестны. [8]
 |
Плотноупакованные слон, образованные шарами двух типов. а - АХ. б - АХ2. в и г - АХ3. д - АХ4. е - АХ6. [9] |
В структурах SnNi3 и TiNi3 имеются слои типа г, причем закономерность чередования слоев выражается символами г и гк соответственно. [10]
При р ф 2 в окрестности слоя типа ( cl) не может существовать регулярное векторное поле с нормальной компонентой, не равной тождественно нулю. [11]
Слой типа р имеет дырочную проводимость, а слой типа п - электронную. [12]
Ха Н - расслоенное пространство, ассоциированное с К, со слоем типа Я. Я); говорят, что оно получается из К при помощи гомоморфизма ср. [13]
Пусть Е - расслоенное пространство, ассоциированное с К, со слоем типа F. [14]
Для контроля высоты слоя ведут наблюдение за давлением, а также используют индикатор высоты слоя типа Тектор. Был также испытан метод контроля высоты слоя при помощи радиоактивных изотопов. [15]
Страницы: 1 2 3 4