Слой - тип
Cтраница 4
 |
Полупроводниковые триоды. [46] |
Переход, включенный в обратном направлении, называется коллекторным. Он служит для собирания носителей заряда. Соответственно этому левый слой типа п называется эмиттером, а правый - коллектором. Область, общая для обоих переходов ( средний слой), называется базой. [47]
Можно было бы без конца увеличивать звукоизоляцию, добавляя все новые и новые перегородки. Главным фактором здесь становится степень механической изоляции одной перегородки от другой. Если между перегородками расположен пружинящий слой типа микропористой резины, вне резонансной частоты такой пружины все будет хорошо, а при резонансе решающую роль сыграет степень задемпфированности слоя. К сожалению, хорошее демпфирование в межперегородочном пространстве означает повышение импеданса, а поскольку импедансы перегородок высоки, следует по возможности уменьшать импеданс промежуточного слоя. [48]
 |
Схема федоровской группы. [49] |
В основе всех структур лежат плотнейшие слои типа 2 [1], накладывающиеся друг на друга плотнейшим способом. [50]
Разновидности слюды ( более 100 слюд были подвергнуты рентгенострук-турному анализу) отличаются от силикатов группы талька тем, что V4 атомов Si статистически замещена алюминием. Как уже было отмечено, при этом вводятся дополнительные отрицательные заряды, а следовательно, и катионы. Таким образом, в слюде сложные слои типа ( г) ( рис. 152) соединены катионами К. [51]
Разрыв связей при диспергации кристаллов происходит вдоль плоской сетки, проходящей через кислородные мостики, связывающие основания тетраэдров смежных лент. Ненасыщенный заряд разорванной связи компенсируется протоном, переводя О в ОН. Ребра кристаллов палыгорскита не насыщены однородными ОН-группами, не имеющими явно выраженного отрицательного заряда, как у кислородной поверхности слоя типа 2: 1 или 1: 1, но подобно ОН-сетке каолинитового слоя эти группы склонны активно образовывать водородные связи с любой частицей, несущей отрицательную поверхность. Значительная часть поверхности связана с кислородными основаниями тетраэдров одномерных лент в цео-литоподобных каналах. Эта поверхность, как и для структур типа 2: 1, имеет повышенный отрицательный заряд в связи с не-стехиометрическими замещениями катионов в тетраэдрах и октаэдрах. Поэтому здесь расположены наиболее активные центры для обменных катионов. При этом необходимо учитывать, что ограниченные размеры каналов в поперечнике позволяют им быть активными в отношении небольших молекул. [52]
 |
Плоскостной диод. [53] |
В селеновом вентиле ( рис. 5 - 7) на никелированную стальную или алюминиевую шайбу 1 наносится тонкий слой селена 2, подвергаемого кристаллизации. Поверхность селена путем распыления покрывается контактным слоем 3 сплава кадмия, олова и висмута. В процессе обработки в селене возникают два слоя с разной проводимостью. Слоем типа р является селен, расположенный на границе с шайбой, слой n - типа примыкает к напыленному сплаву. [54]
Проникая в кремний, атомы бора создают в нем зону, обладающую дырочной электропроводностью. Между ними обращается электронно-дырочный переход. Снизу на слой типа п нанесен сравнительно толстый контактный слой металла. Поверхность слоя типа р покрыта тончайшей, почти прозрачной пленкой металла, являющейся контактом этого слоя. [55]
 |
Дне возможные структуры транзистор.. с зоной собственной проводимости между базой и коллектором. [56] |
Пластинку подвергают действию паров только с одной стороны. Пары одновременно содержат примеси обоих типов, причем одна из примесей ( обычно донорная) имеет скорость проникновения несколько большую, чем другая ( акцепторная), но концентрация последней выше. В результате впереди слоя типа р образуется тонкий слон типа г и мы имеем транзистор структуры р-п - р, у которого база может иметь толщину всего лишь в одну тысячную долю миллиметра ( 1 мкм) и который способен усиливать на частотах до 400 Мгц. [57]
Большое число модификаций известно для карборунда SiC. Кубический 3 - SiC имеет структуру цинковой обманки ( разд. Позиции атомов в структуре цинковой обманки такие же, как в алмазе, но атомы Zn и S чередуются. Видно, что структура цинковой обманки построена только из слоев типа а, тогда как в вюртцпте слои типа а и б чередуются. [58]
Страницы: 1 2 3 4