Антизапорный слой
Cтраница 1
Антизапорный слой не обладает выпрямляющими свойствами, и мы его в дальнейшем рассматривать не будем. [2]
Антизапорный слой - слой, образующийся при определенных условиях на контакте металл - полупроводник и отличающийся повышенной плотностью носителей электрического заряда, в связи с чем контакт с таким слоем не обладает выпрямляющими свойствами. [3]
 |
Распределение потенциала при. [4] |
У поверхности образуются антизапорные слои. [5]
Так как последовательное включение в цепь малого сопротивления ( антизапорного слоя) никаких особенностей не вызывает, мы будем в дальнейшем интересоваться только запорными слоями, которые, как мы увидим, обладают выпрямляющими свойствами. [6]
В главах 2 и 4 было показано что на контакте полупроводника с металлом могут образовываться либо запорные, либо антизапорные слои. [7]
В тех случаях, когда большая часть тока неосновных носителей также должна проходить через этот контакт, нельзя допускать и образования антизапорного слоя с большой высотой барьера. Контакты, удовлетворяющие этим требованиям, называют идеальными или омическими. Для создания таких контактов подбирают металл с работой выхода, близкой к работе выхода полупроводника. [8]
Для того чтобы впрыснутые в базовую область дырки не могли уходить через базовый электрод, минуя коллектор, у базового контакта создается антизапорный слой с повышенной концентрацией электронов. Поэтому дырки не проходят через контакт и весь базовый ток создается электронами. Этот ток создается электронами, уходящими на эмиттер и приходящими с коллектора, и электронами, рекомбинирующими с дырками в базовой области. [9]
В зависимости от природы поверхностных зарядов доноров или акцепторов, их положения в системе энергетических уровнен и знака носителей тока в полупроводнике можно наблюдать появление как запорного, так и антизапорного слоя. [10]
Концентрация электронов у границы и здесь определяется выражением (6.2), а ход ф ( х) - уравнением (6.4), но так как ф ( х) отрицательно ( рис. 11, в), то концентрация электронов у границы может намного превышать ге0; соответственно и толщина антизапорного слоя будет значительно меньше, чем запорного. [11]
 |
Контакт ПП одного типа проводимости. [12] |
В технологии IIП приборов возникает необходимость получения омич. Для этой цели подходят антизапорные слои. [13]
Наоборот, дрейф фотоносителей в измененном поле поверхностного двойного слоя преобладает в области слабого поглощения. Это говорит о создании антизапорного слоя на поверхности ФАМ при подсветке. [14]
Ясно, что чем большим удельным сопротивлением будет обладать материал, тем при меньших величинах г 0 ( при прочих равных условиях) 5эф будет терять смысл. Действительно, при L 0 1 см имеем L - lj 0 1 ( антизапорный слой, i) 0 10 и и у 2) и. Однако нарушение критериев ( 1) возможно. Правда, очень малые значения L характерны лишь для образцов германия, содержащего заметные концентрации некоторых примесей, а также для образцов с низким удельным сопротивлением, поэтому на основании приведенных выше данных можно было бы сделать вывод, что при исследовании достаточно чистого германия практически всегда можно пользоваться понятием эффективной скорости поверхностной рекомбинации. Однако ряд фактов свидетельствует, что это, по-видимому, не совсем так. [15]
Страницы: 1 2