Антизапорный слой

Cтраница 2

Контакт с обогащенным сломи и циэлокт-рическим зазором.| Контакт с инверсионным слоем ( с физическим р-п-пе-реходом.| Контакт с металлургическим р-п-пс-реходом. [16]

Такой переход обладает теми же свойствами, что и контакт металл - полупроводник с антизапорным слоем. [17]

Энергетическая диаграмма контакта.| Барьер Шоттки в равновесии при V. [18]

В данном случае обедненный носителями слой с пониженной проводимостью, препятствующий протеканию тока через контакт, часто называют запорным слоем, а соответствующий ему потенциальный барьер на границе раздела металл - полупроводник - барьером Шоттки. Обогащенный носителями слой с повышенной проводимостью, способствующий протеканию тока через контакт, называют антизапорным слоем. [19]

Здесь создаются два потенциальных барьера. Барьер металл - ПП при высокой концентрации примеси в ПП носители могут проходить посредством туннельного эффекта. Он является антизапорным слоем и не может инжектировать неосновные носители. [20]

Рассмотрим прохождение тока через р - тг-переход, в котором не происходит рекомбинации. Ограничимся пока случаем, когда толщины р - и тг-областей не очень велики, а концентрации основных носителей рр и пп значительно превышают щ, так что собственное сопротивление р - и тг-областей достаточно мало и его можно не учитывать. Для того чтобы устранить добавочные сопротивления контактов с металлом, у контактов создается невыпрямляющий антизапорный слой. [21]

Рассмотрим прохождение тока через тонкий р-га-переход, созданный внутри полупроводника. Если толщина р - и га-областей не очень велика, то их собственное сопротивление мало и его можно не учитывать. Для того чтобы устранить добавочные сопротивления контактов с металлом, у контактов создается невыпрямляющий антизапорный слой с повышенной проводимостью. [22]

Контактное поле направлено от ПП к металлу. Общая энергия электрона в ПП равна сумме энергии электрона в кристаллич. ПП и металла обладает большей энергией по сравнению с электронами в объеме ПП. Для ПП с дырочной проводимостью запирающий слой образуется, если работа выхода из ПП больше работы выхода из металла. Когда в контакте находятся электронный ПП и металл, причем работа выхода из ПП больше работы выхода из металла, в Ш создается слой с повышенной концентрацией электронов. Такой слой обладает меньшим удельным сопротивлением по сравнению с объемом и наз. Последний также образуется при контакте дырочного ПП и металла, когда работа выхода из металла больше работы выхода из ПП. ПП, и изменение потенциального барьера в антизапорном слое незначительно. В случае же запирающего слоя практически все внешнее напряжение падает на нем, увеличивая высоту барьера. Если внешнее поле совпадает по направлению с контактным полем, то высота барьера растет, запирающий слой расширяется. Если внешнее поле направлено навстречу контактному полю, то высота потенциального барьера уменьшается, слой сужается. Для электронного ПП прямое направление соответствует приложению к нему отрицат. [23]

Контактное поле направлено от ПП к металлу. Общая энергия электрона в ПП равна сумме энергии электрона в кристаллич. ПП и металла обладает большей энергией по сравнению с электронами в объеме ПП. Приконтактный слой ПП обеднен основными носителями - электронами. Для ПП с дырочной проводимостью запирающий слой образуется, если работа выхода из ПП больше работы выхода из металла. Когда в контакте находятся электронный ПП и металл, причем работа выхода из IIП больше работы выхода из металла, в ПП создается слой с повышенной концентрацией электронов. Такой слой обладает меньшим удельным сопротивлением по сравнению с объемом и наз. Последний также образуется при контакте дырочного ПП и металла, когда работа выхода из металла больше работы выхода из ПП. ПП, и изменение потенциального барьера в антизапорном слое незначительно. В случае же запирающего слоя практически все внешнее напряжение падает на нем, увеличивая высоту барьера. Если внешнее поле совпадает по направлению с контактным полем, то высота барьера растет, запирающий слой расширяется. Если внешнее поле направлено навстречу контактному полю, то высота потенциального барьера уменьшается, слой сужается. Для электронного ПП прямое направление соответствует приложению к нему отрицат. [24]

Страницы: 1 2