Тонкий переходный слой
Cтраница 1
Тонкий переходный слой, в котором примесь, сообщающая половине полупроводника электронную проводимость, компенсирует другую примесь, сообщаемую другой половине дырочную проводимость. [1]
В ПП диоде с весьма тонким переходным слоем наблюдается такая же зависимость Д.ш. от среднего тока и от частоты, как и в вакуумном диоде, работающем в режиме насыщения эмиссионного тока. При этом, поскольку все эмитируемые катодом носители тока достигают анода, зависимость шумов от среднего тока определяется статистнч. [3]
В его работах показано, что наличие даже очень тонкого переходного слоя существенным образом меняет характер излучения ультразвука. [4]
 |
Схемы выпрямления и соответствующие диаграммы напряжения. [5] |
Вентильный эффект с односторонней проводимостью полупроводниковых элементов может возникать в весьма тонком переходном слое, образующемся в стыке двух одинаковых полупроводниковых материалов с вкрапленными примесями, обусловливающими их различную по своей физической сущности проводимость. Так, например, в меднозакисных ( купроксных) вентилях, как показано на рис. 5 - 25 а, в одном из слоев закиси меди имеется избыток кислорода, в другом - чистой меди. [6]
Такое изменение дифракционной картины свидетельствует о существовании на границе с подложкой тонкого переходного слоя. [7]
Происхождение этих аномалий, согласно Друде, можно объяснить наличием на поверхности отражающей среды тонкого переходного слоя. Теория показывает, что толщина переходного слоя порядка нескольких межатомных расстояний уже достаточна для того, чтобы вызвать наблюдаемые отклонения от формул Френеля. Физические причины возникновения переходных слоев на поверхностях еще окончательно не выяснены, но несомненно, что для чистых веществ они обусловлены молекулярной структурой самой отражающей среды вблизи ее поверхности. [8]
Чтобы рассмотреть поведение лучей при переходе через резкую границу раздела сред с различными показателями преломления, можно мысленно заменить граничную поверхность тонким переходным слоем, в котором показатель преломления изменяется непрерывно. [9]
Отступление, от формул Френеля объясняется тем, что отражение и преломление происхо-дттг не на математической граничной поверхности, а в тонком переходном слое между различными средами. Свойства переходного слоя отличаются от свойств сред, которые он разграничивает. Благодаря этому отражение и преломление не сводятся к скачкообразному и мгновенному изменению параметров, описывающих волны, как предполагается при выводе формул Френеля. Толщина переходного слоя, обусловливающего процесс преломления и отражения, имеет порядок межатомных расстояний. В таком слое процесс отражения и преломления не может быть описан с помощью уравнений Максвелла, сформулированных в приближении сплошной среды. [10]
Металлографический анализ также не указывает на появление новых фаз при смачивании окислами алюминия и кремния вольфрама, молибдена и рения, хотя можно обнаружить весьма тонкие переходные слои между указанными металлами и расплавами. [11]
 |
Пульсация скорости. [12] |
Прандтль, Г. А. Гуржиенко и др.) было установлено, что при турбулентном режиме движения основную часть потока занимает его ядро ( рис. 35), в котором имеет место турбулентное движение, а около стенок трубы существует пограничный слой, который, в свою очередь, можно подразделить на тонкий ламинарный ( пристенный) слой, расположенный непосредственно у стенки, и также тонкий переходный слой, являющийся переходной зоной от ламинарного движения к турбулентному. [13]
Наличие у многофазной системы границ, отделяющих одну фазу от других, вызывает необходимость рассмотрения этих границ. Они представляют собой тонкий переходный слой вещества, называемый капиллярным слоем. Вещество в капиллярном слое обладает определенной энергией. Вследствие этого многофазная система имеет дополнительную поверхностную энергию, сосредоточенную на поверхности раздела фаз. Поверхностной энергией обладает и любая однородная система, если она рассматривается вместе с ее границами. [14]
Поперечный разрез ( шлиф) волокон SiC уже при увеличении 650 имеет достаточно характерную картину. На рис. 2 виден тонкий переходный слой - зона взаимодействия карбида кремния с вольфрамом при температуре осаждения. На ряде нетравленных поперечных шлифов отчетливо видна граница раздела между слоями SiC, полученными в разных камерах реактора. Как видно, толщины слоев первой и второй камер одинаковы, что свидетельствует при прочих равных условиях об одинаковом температурном режиме. Обращает на себя внимание тот факт, что выкол образца при разрушении ( рис. 2) происходит точно по границе раздела слоев 1 и 2 камер. Это свидетельствует о значительных внутренних напряжениях, имеющихся в волокне на границе раздела слоев. Формирование непрерывных волокон SiC связано со значительным температурным градиентом по длине реактора. При этом максимальная температура в начале камеры, минимальная - в конце. Таким образом, из-за значительного градиента температур ( до 150 С) возникают температурные напряжения в пограничном слое. [15]
Страницы: 1 2 3