Тонкий переходный слой

Cтраница 2

В этом тонком слое влияние вязкости существенно сказывается на распределении скорости. Гипотезу о существовании такого тонкого переходного слоя подтверждают и эксперименты. Этот тонкий слой принято называть пограничным. [16]

В момент соприкосновьния электроны из полупроводника п-типа переходят в полупроводник р-типа, а дырки - в обратном направлении. Происходит процесс диффузии, и устанавливается равноосное состояние з очень тонком переходном слое толщиной в насколько тысячных долей миллиметра. Действие собственно граничного переходного опоя обнарукивает себя лишь тогда, когда к р - n переходу приложено электрическое напряжение. [17]

Диаграмма зависимости интенсивности отраженного короной сигнала от времени прохождения и частотного смещения. Запаздывание отраженного сигнала можно связать с уровнем отражения в короне, а частотное смещение - с доплеров-ским эффектом либо с изменением частоты при рассеянии. Размер зачерненной области соответствует интенсивности отраженного сигнала. [18]

Солнца радиосигналы можно только на частотах, меньших 6 - 108сек - 1: более высокие частоты не столько отражаются, сколько поглощаются короной. Правда, можно ожидать и отражения на более высоких частотах от тонкого переходного слоя между короной и хромосферой, где пе быстро растет с глубиной, и от областей с сильным магнитным полем, где высота уровня отражения может быть больше высоты слоя с о ж соре. [19]

Следует отметить, что фактически любой разрыв представляет собой некоторый более или менее тонкий переходный слой, изменение параметров плазмы и магнитного поля в котором происходит значительно более резко, чем в соседних областях. Толщина и детальная структура этого слоя, а также era эволюция со временем не определяются только законами сохранения, они, в частности, различны для столкновитель-ной и бесстолкновительной плазмы. Мы, как обычно, будем в первом приближении считать слои бесконечно тонкими и говорить о скачках физических величин на поверхностях разрывов. Данные об их толщине и структуре будут приведены ниже. [20]

В так называемом прямом направлении сопротивление вентиля ( прямое) сравнительно мало. При обратной полярности напряжения на границе между полупроводником и металлом или между двумя полупроводниками образуется тонкий переходный слой ( переход) с весьма большим сопротивлением ( обратным), зависящим от величины приложенного напряжения. [21]

Проведенные исследования указывают, что зоны образуются со значительной скоростью. Это может быть объяснено неоднородностями, а также количеством дислокаций и вакансий в закаленных сплавах. Возможно, между зонами и матрицей существует тонкий переходный слой - слой аккомодации. [22]

Предварительно сделаем следующее общее замечание. Граница раздела между двумя различными средами представляет собой в действительности не геометрическую поверхность, а тонкий переходный слой. Справедливость формул ( 86 1) не связана с какими бы то ни было предположениями о характере этого слоя. Вывод же формул Френеля, основанный на использовании условий на границе раздела, предполагает малость толщины переходного слоя б по сравнению с длиной волны Я. Обычно толщина б сравнима с междуатомными расстояниями, во всяком случае малыми по сравнению с К ( в противном случае было бы вообще невозможным макроскопическое рассмотрение поля); поэтому и условие А, б обычно выполняется. [23]

Предварительно сделаем следующее общее замечание. Граница раздела между двумя различными средами представляет собой в действительности не геометрическую поверхность, а тонкий переходный слой. Справедливость формул (86.1) не связана с какими бы то ни было предположениями о характере этого слоя. Вывод лее формул Френеля, основанный на использовании условий на границе раздела, предполагает малость толщины переходного слоя 6 по сравнению с длиной волны А. Обычно толщина 6 сравнима с междуатомными расстояниями, во всяком случае малыми по сравнению с А ( в противном случае было бы вообще невозможным макроскопическое рассмотрение поля); поэтому и условие Х 6 обычно выполняется. [24]

Модель однородное плевки. [25]

Отражение света от однородных пленок на поверхности описывается формулами (XII.1) лишь приблизительно, причем отступления от них особенно заметны вблизи угла Брюстера IB. Во-первых, составляющая гр не исчезает полностью, а проходит через минимум при 1 1в и, во-вторых, разность фаз А между составляющими гр и rs вблизи IB меняется не скачком, но довольно быстро с появлением эллиптической поляризации. Причиной этих явлений, как было установлено еще в конце прошлого века, является существование на отражающей поверхности тонкого переходного слоя со свойствами, отличными от свойств основной массы отражающей среды. [26]

Отметим, что такой контакт в чистом виде нельзя получить, прижимая друг к другу два полупроводника, так как вследствие шероховатости поверхности соприкосновение будет происходить лишь в немногих точках; между ними будут воздушные зазоры, в которых образуются пленки окислов, и контакт будет иметь сложное строение. Поэтому для получения р - n - перехода обычно в пластинку чистого полупроводника ( например, германия или кремния) вводят две примеси - одну донорную ( т.е. сообщающую электронную проводимость), а другую акцепторную ( сообщающую дырочную проводимость), и распределяют их таким образом, чтобы в одном конце имелся избыток одной из примесей, а в другом конце - избыток другой. Тогда в одной половине пластинки возникает электронная проводимость, а в другой - дырочная, причем между обеими областями будет расположен тонкий переходный слой, в котором обе примеси компенсируют друг друга. [27]

Уравнения движения вязкого теплопроводного газа были выведены в гл. Однако при решении всех конкретных задач о течениях сжимаемого газа, рассматривавшихся в предшествующих главах, предполагалось, что газ является невязким и нетеплопроводным. Действительно, в указанных задачах влияние вязкости и теплопроводности могло проявиться только в ударных волнах, которые рассматривались как сколь угодно тонкий переходный слой, в пределе сводящийся к поверхности разрыва. [28]

На полосу пропускания большое влияние оказывают переходные слои, с помощью которых осуществляется акустический контакт между преобразователями и звукопроводом. В качестве переходных слоев используются тонкие слои клея, а также индий его сплавы. Толщина этих слоев может быть больше или меньшъ длины звуковой волны в материале слоя. Тонкие переходные слои клея вследствие своей упругой податливости трансформируют акустическое сопротивление звукопровода ( и конуса) таким образом, что резонансная частота преобразователей несколько смещается вверх, а полоса пропускания сужается. Эти нежелательные явления сводятся к минимуму при использовании очень тонких переходных слоев. [29]

Зависимость проницаемости и типа ячеек фазоинверсионных мембран эт концентрации порообразователя. [30]

Страницы: 1 2 3