Элементарный слой

Cтраница 2

Выделим элементарный слой пласта толщиной Дп, отстоящий на расстоянии h от подошвы пласта. [16]

Толщина элементарного слоя должна быть достаточной, чтобы в нем содержалось представительное количество дисперсных частиц адсорбента. Концентрации а и С в рассматриваемом процессе не могут быть равновесными, как это принимается при анализе переноса внутри пористых частиц адсорбентов. [17]

Толщина элементарного слоя больше, чем какой-либо другой фактор, определяет основные показатели процесса и свойства фенобумослоя. [18]

Толщина элементарного слоя MoS2 равна 6 25 А. Высокая адгезия MoS2 к металлам обусловлена прочными молекулярными связями атомов серы с металлом. Строение кристаллической решетки создает важные для смазо - ных материалов высокие адгезионные и низкие когезионные свойства. [19]

Толщина элементарного слоя MoSa равна 6 25 А. [20]

Прочность элементарного слоя композита при продольном растяжении была рассмотрена Розеном и Цвебеном [33] с позиций двух микромеханических типов разрушения: а) накопления повреждений; б) разрушения слабейшего звена. [21]

Фазовая диаграмма бинарной системы С-Si. [22]

Толщина элементарного слоя молекулы SiC равна 2 5 А. Номер структуры различным типам присвоен по мере их открытия и не основан ни на каком-либо другом принципе. Типы SiC различаются числом слоев в пачке и их расположением. Так, типу SiC-I соответствует 15 слоев, типу81С - П-6 слоев, типу SiC-III - 4 слоя, типу SiC-IV - 21 слой, типу SiC-V-51 слой. [23]

Пусть в первый элементарный слой последовательно вводится порция за порцией исходный раствор. Количество вещества в каждой элементарной порции исходного раствора равно единице. [24]

Толщина dh элементарного слоя, для которого справедливо уравнение (9.21), должна быть достаточной, чтобы в таком слое содержалось представительное количество частиц адсорбента. С другой стороны, эта толщина должна быть и достаточно малой, чтобы к ней можно было применять понятие дифференциального анализа. Концентрации а и С в рассматриваемом процессе не могут быть равновесными, как это принимается в процессе переноса внутри пористой частицы адсорбента. [25]

Толщина каждого элементарного слоя с одинаковым изменением поля получается неодинаковой. [26]

Толщина одного элементарного слоя MoS2 равна 6 25 А. [27]

Толщина одного элементарного слоя MoS2 составляет 6 26 А. Слои SMo S связаны между собой слабыми молекулярными силами, и один слой легко скользит относительно другого. Силы сцепления между атомами Мо и S обеспечивают достаточную прочность слоя. Свободные атомы серы обладают хорошими адгезионными свойствами по отношению к металлам. [28]

Толщина одного элементарного слоя равна 6 25 А. Между слоями ( S-S) действуют слабые молекулярные силы. [29]

В качестве элементарного слоя, формирующего КПС, могут быть использованы однонаправленный шпон, непрерывные нити и волокна, а также ткани различного переплетения. [30]

Страницы: 1 2 3 4