Элементарный слой
Cтраница 3
 |
К расчету осадки по методу элементарного суммирования. [31] |
Напряжения в элементарных слоях и нижнюю границу сжимаемой толщи можно определять аналитически. [32]
Тогда в элементарном слое dl содержится ndl таких частиц. [33]
Выделим внутри стенки элементарный слой толщиной dx, ограниченный двумя изотермическими поверхностями. [34]
Предположим, что элементарный слой К, возникший в тот момент, когда кромка была в точке с абсциссой s х - 5, остается все время в месте своего образования. [35]
Предполагается, что элементарный слой является тонким, находится в условиях плоского напряженного состояния и характеризуется упругими и прочностными свойствами, соответ-ствующими ортотропному телу. Такое предположение приемлемо для большинства тонких пластин и оболочек. [36]
Стенка разбивается на элементарные слои конечного размера Дх; принимается, что равномерно распределенные тепловые свойства материала стены как бы сосредоточены в пределах каждого слоя. Таким путем переходят от поля материала конструкции с равномерно распределенными теплофизи-ческими параметрами к тепловой цепочке с сосредоточенными характеристиками. Принято считать, что тепловая емкость каждого элементарного слоя сосредоточена в его центре, а проводимость тепла материалом между слоями характеризуется сопротивлением теплопроводности между центрами слоев. Полученная тепловая цепочка ( рис. II.1, б) состоит из тепловых емкостей, соединенных между собой термическими сопротивлениями. [37]
Для определения характеристик элементарного слоя по свойствам частиц и их концентрации необходимо принять некото рую геометрическую модель такого слоя. Из-за приближенного характера модели и в результате неточности вычислений параметры rt и tt могут быть рассчитаны с некоторой погрешностью. Проверка показала, что рекуррентные формулы (4.13) и пределы (4.14) корректны и их применение не приводит к значительному накоплению ошибок. [38]
 |
Зависимость характеристик элементарного слоя от параметров модели. / - е (. / / - it, Ill - rt ( / - е 0 9. 2 - 0 5. 3. [39] |
Расчет излучательных характеристик элементарного слоя, когда задано собственное излучение образующих его частиц, представляет самостоятельный интерес. При этом оказывается возможным определение двух характеристик: степени черноты элементарного слоя в неизотермичных условиях и эффективной излучатель-ной способности поверхности частицы в дисперсной среде. [40]
Расчет упругих характеристик элементарного слоя содержит два этапа: определение характеристик приведенной матрицы за счет усреднения упругих свойств волокон, уложенных в направлении, перпендикулярном к плоскости слоя, со связующим; и расчет характеристик слоя исходя из упругих свойств волокон, параллельных плоскости слоя, и свойств модифицированной матрицы. Таким образом, последующий расчет деформативных характеристик слоистого материала определяется выбором направлений армирования, которые усредняются при модификации свойств матрицы или являются арматурой выделенного элементарного слоя. [41]
Теоретическая оценка ширины элементарного слоя в этих работах не дается. [42]
Вопросу оценки ширины элементарного слоя или шага при использовании послойного метода в расчетах динамических распределений веществ в сорбционных колонках посвящены работы Дм. [43]
РДх - объем элементарного слоя ( с учетом Д / 71 м2 ДУ - Ах м3); индекс т отличает величины, относящиеся к процессу теплопроводности. [44]
Расчет упругих характеристик элементарного слоя содержит два этапа: определение характеристик приведенной матрицы за счет усреднения упругих свойств волокон, уложенных в направлении, перпендикулярном к плоскости слоя, со связующим; и расчет характеристик слоя исходя из упругих свойств волокон, параллельных плоскости слоя, и свойств модифицированной матрицы. Таким образом, последующий расчет деформативных характеристик слоистого материала определяется выбором направлений армирования, которые усредняются при модификации свойств матрицы или являются арматурой выделенного элементарного слоя. [45]
Страницы: 1 2 3 4