Поверхностный слой - атом
Cтраница 4
Имеется определенная аналогия между первым поправочным членом в формуле (6.102) и добавкой (4.139) к ван-дер-ваальсо-ву потенциалу взаимодействия атома с нецентросимметричной молекулой. В случае же взаимодействия атома с поверхностью дело сводится к новому определению границы среды, от которой отсчитывается расстояние до атома. Микроскопически эту границу можно определить, например, как совпадающую со средним положением поверхностного слоя атомов ( ионных остовов, ядер) среды. [46]
Роль возбужденных состояний продуктов распада и металла в адсорбции их очевидна. Чем в более высоких возбужденных состояниях образуются продукты распада, тем более прочные связи с подложкой должны они образовать. Кроме того, вторичные реакции должны облегчаться под влиянием образования адсорбционного комплекса с возбужденным состоянием. Это влияет, с одной стороны, на степень связанности органических примесей в выделяющемся металле, а с другой стороны, на величину адгезии металла к подложке. Выделение металла в возбужденном, близком к валентному, состоянии на поверхности подложки должно облегчать образование прочных химических связей с поверхностным слоем атомов подложки. Большие величины энергий валентного состояния выделяющихся при распаде металлов ( - 1 - - 10 эс) вполне достаточны для того, чтобы вызвать разрыв связей в подложке и образовать связи с металлом. [47]
 |
Плосжие скопления точечных дефектов. а вакансий. б внедрений. в атомов замещения.| Растворение кристаллом окружающей пустоты. [48] |
Гинье-Престона), обычно предшествующее стадии выделения новой фазы. Механизм образования вакансий, предложенный Я - И. Френкелем, состоит в растворении кристаллом окружающей его пустоты. Он проходит в две стадии. Первая ( рис. 6.3, а ] заключается в выбросе из поверхностного слоя атома Л и адсорбции его на поверхности кристалла. Вторая стадия ( рис. 6.3, б) состоит из объемной диффузии образовавшейся вакансии в глубь кристалла и поверхностной диффузии адсорбированного атома А. На рис. 6.4, а показано образование френкелевской пары дефектов ( вакансия внедрение) путем внутреннего испарения - теплового флуктуационного переброса атома А матрицы в соседнее междоузлие А. Этот механизм менее вероятен, чем предыдущий, так как требует затраты большей энергии, необходимой на разрыв всех связей, образуемых атомом в кристалле. При очень больших энергиях бомбардирующих тяжелых частиц образуются каскады смещений. [49]
Когда волна падает на решетку, возникает интерференция маленьких воли, рассеянных гребнями. Рассеянный свет достигает максимальной интенсивное. Максимумы интенсивности возникнут под теми же самыми углами, что и максимумы от интерференции на двух щелях, отстоящих друг от друга на расстоянии, равном промежутку между двумя гребнями. Дело обстоит так, словно на синусоидально изменяющуюся интенсивность, обусловленную интерференцией на двух щелях, накладывается очень резкая дифракционная картина от щели шириной, равной поперечному размеру всей решетки. Таким образом, весь свет, падающий на решетку, сосредоточивается на очень узких участках, угловое положение которых зависит от длины волны. Именно поэтому в спектроскопах, предназначающихся для исследования состава света, который состоит из смеси длин волн, ставится несколько решеток. Для опыта, изображенного на рис. 33.14, роль канавок на обычной решетке, играют правильно располагающиеся ряды атомов. На рис. 33.14 поверхностный слой атомов создает центральное пятно. Это пятно отвечает условию отсутствия разности хода ко всякому рассеивающему атому и обратно. Оно располагается так, что угол падения равен углу отражения. На самом деле широко известный закон отражения в геометрической оптике можно трактовать как следствие именно такого интерференционного эффекта. [50]
Страницы: 1 2 3 4