Поверхностный слой - пластина
Cтраница 2
Эпюра возникающих в этом случае в материале диффузионных напряжений представлена на рис. II.4. Диффузионные напряжения - в поверхностных слоях пластины имеют знак растяжения и поэтому также способствуют образованию микротрещин. Они существуют в материале до тех пор, пока концентрация мономера в любой точке изделия не сравняется с концентрацией мономера в окружающей среде. [16]
Активной массой положительной пластины, непосредственно участвующей в электрохимических процессах, является двуокись-свинца ( РЬО2), образующая поверхностный слой пластины. Двуокись свинца образуется на поверхности пластины в процессе особой обработки - формирования. Емкость пластины и аккумулятора в целом определяется количеством активной массы, объем которой пропорционален активной поверхности пластины, так как толщина активного слоя практически одинакова. [17]
В аккумуляторах, рассчитанных на короткие режимы разряда, применяют более легкие решетки, так как в этом случае работает, главным образом, поверхностный слой пластины. При большой разрядной силе тока число и сечение жилок приходится уве - личивать. [18]
Повышение вязкости электролита затрудняет его диффузию в порах электродов, поэтому во время разряда, производимого при пониженной температуре электролита, в химических реакциях принимают участие лишь активные вещества, расположенные в наиболее поверхностных слоях пластин. [19]
 |
Схемы разгруженных пластин насосов.| Схемы разгрузки пластин. [20] |
Износ вызывается тем, что пластина прижимается к статору в зоне всасывания со значительным усилием, которое выдавливает жидкость, находящуюся между пластинами и статором, в результате чего возникает сухое трение и нагревание поверхностного слоя пластины в месте контакта ее со статором до температуры, которая может превышать температуру отпуска стали. [21]
На рис. 1.5 в показан пластинчатый фитиль, вставленный в корпус с внутренней резьбой. Поверхностный слой пластины представляет собой сетку тонкого плетения для создания высокого капиллярного давления. Внутреннюю часть фитиля образует, сетка крупного плетения для улучшения движения жидкости и заполнения фитиля. Нарезка предназначена как для более однородного распределения жидкости по - периферии трубы, так и для обеспечения эффективного радиального теплообмена. [22]
В твердосхемных ИС ( наиболее распространенных) исполь - зуют объемные и контактные свойства полупроводниковых материалов, в качестве которых обычно применяют кристалль кремния. В поверхностном слое пластины кремния методам полупроводниковой ( планарной) технологии формируются области, выполняющие функции диодов, транзисторов и пас - сивных компонентов схемы. [23]
При увеличении скорости косого соударения пластин, интенсивность пластических деформаций в зоне соединения возрастает, мощность тепловыделения увеличивается. При этом поверхностные слои пластин плавятся, затем затвердевают в результате отвода тепла во внутренние слои металла из-за теплопроводности. Одновременно с этими теплофизическими процессами происходит процесс разгрузки, зона высоких сжимающих напряжений по мере движения точки контакта сменяется зоной растягивающих напряжений, и, если последние возникают в рассматриваемой точке раньше, чем происходит затвердевание расплавов, сварное соединение разрушается. [24]
 |
Схематическое изображение распределения экранирующих токов ( а и магнитного поля ( б внутри сверхпроводящей пластины, помещенной во внешнее поле, параллельное ее плоскости. [25] |
Как только плотность тока в поверхностном слое уменьшится до своего критического значения / с, его затухание прекратится. В установившемся режиме в поверхностном слое пластины толщиной р течет незатухающий экранирующий ток критической плотности / с, причем токи на левой и правой сторонах пластины имеют противоположные знаки. M - 0JC - ( Знаки минус и плюс относятся соответственно к левой и правой сторонам пластины. Интегрируя это уравнение, находим связь между АВ и р: ДВ / р Л0 / С. Очевидно, что при повторном увеличении поля на величину АВ глубина его проникновения удвоится и станет равной 2ДВ / Л0 / С. Этот процесс продолжается до тех пор, пока критические токи Jc не заполнят все поперечное сечение пластины, что будет означать полное проникновение поля в образец. Дальнейшее увеличение внешнего поля не экранируется, а токи остаются неизменными, поскольку плотность тока в каждой точке пластины уже достигла своего критического значения и больше не сможет увеличиваться. [26]
После взвешивания крышки амальгаму разрушают прокаливанием, для чего крышку сначала нагревают ( под тягой) на слабом пламени, а затем постепенно повышают температуру до полной отгонки ртути. Если крышку накалить сразу, то вместе с ртутью будет теряться и золото за счет разрушения поверхностного слоя пластины. Следует следить за тем, чтобы матовая сторона крышки не загрязнялась и края не гнулись, так как в этом случае она не будет плотно прилегать к тиглю. [27]
 |
Установка для эпитаксиального наращивания. [28] |
Процесс проводится в реакторе, представляющем собой кварцевую трубу, помещенную в индуктор ВЧ генератора. Кремниевые пластины, расположенные на графитовой подставке, нагреваются до 1200 С в атмосфере водорода, затем в реактор вводится соляная кислота, и происходит стравливание поверхностного слоя пластины для удаления нарушенной кристаллической структуры загрязнений. После этого прекращают подачу НС1 и вводят тетрахлорид. Осаждающиеся атомы мигрируют по поверхности пластины, пока не займут место в кристаллической решетке. В результате на поверхности пластины кремния осаждается моиокристаллической слой, называемый эпитаксиальным. Скорость наращивания примерно 1 мкм / мин. [29]
В твердосхемных ИС ( наиболее распространенных) используются объемные и контактные свойства полупроводниковых материалов. В качестве последних применяются кристаллы кремния. В поверхностном слое пластины кремния при помощи обычных методов полупроводниковой ( пленарной) технологии формируются области, выполняющие функции диодов, транзисторов и пассивных компонентов электронной схемы. [30]
Страницы: 1 2 3