Cтраница 3
В твердосхемных ИС ( наиболее распространенных) используются объемные и контактные свойства полупроводниковых материалов. В качестве последних применяются кристаллы кремния. В поверхностном слое пластины кремния при помощи обычных методов полупроводниковой ( планарной) технологии формируются области, выполняющие функции диодов, транзисторов и пассивных компонентов электронной схемы. [31]
Основной механизм проникновения примесного атома в кристаллическую решетку состоит в последовательном перемещении по вакансиям ( пустым узлам) решетки. Возможны также, хотя и менее вероятны, перемещения по междоузлиям и обмен местами с соседними атомами. Следовательно, для получения сильнолегированных областей и ( или) сокращения времени диффузии необходимо иметь высокую концентрацию вакансий в поверхностном слое пластины. С достигает 1021 см-3 за счет поверхностного испарения атомов, диффузии атомов основного материала из глубины пластины к ее поверхности ( что эквивалентно диффузии вакансий от поверхности вглубь), а также смещения атомов в междоузлия вследствие тепловых колебаний решетки. [32]
Степень ( коэффициент) использования свинца в активных массах очень мала. Ограничивает использование активных масс чаще всего их пассивация и иногда недостаточное количество кислоты в электролите. Высокая плотность тока разряда, поскольку чем больше сульфата образуется в единицу времени, тем большая доля его должна кристаллизоваться за счет образования новых центров кристаллизации, а не роста отдельных крупных кристаллов. Низкая температура и высокая концентрация кислоты в электролите, поскольку при этом замедляется диффузия PbSO4 в растворе и большая доля его не успеет отложиться на существующих крупных кристаллах, а должна будет кристаллизоваться на новых центрах, что дает более равномерный плотный слой. При высоких плотностях тока разряда ( 1000 А / м2 и выше) иногда емкость ограничивается недостатком кислоты в порах активных масс, так как диффузия в таком случае не успевает перенести достаточное количество кислоты из сосуда в поры пластины. При небольших плотностях тока ( меньше 100 А / м2) такого ограничения нет, так как количества диффундирующей в поры кислоты хватает для разряда. Поскольку чем выше плотность тока, тем большая доля нагрузки приходится на поверхностные слои пластины, то, если аккумулятор предназначен для разрядов токами большой силы, выгодней требуемое количество активной массы брать в виде тонких пластин, чтобы площадь их была больше. Следует, однако, учитывать, что тонкие пластины скорее выходят из строя. Разряд аккумуляторов можно проводить, пока их напряжение не снизится до величины, после которой нарушается нормальная работа потребителя энергии. Как уже сказано, напряжение при разряде кроме величины разности потенциалов зависит также от того, какая доля этой разности тратится на преодоление омического сопротивления аккумулятора. Величина электросопротивления в основном зависит от концентрации и температуры электролита и сопротивления сепараторов. [33]