Аморфный слой

Cтраница 3

Если в плазму последовательно добавлять РНз и BjHe, в аморфных слоях Si могут осуществляться р - и п-переходы, что весьма важно для создания крупноповерхностных солнечных батарей. [31]

Ниже 1080 С образуется поликристаллический, а при 1000 С - черный аморфный слой. [32]

Зависимость дозы, соответствующей сплошной аморфизации кремния при имплантации ионов кремния, от температуры подложки. D ( Т - D0 [ - 2 exp ( - U / kT ] - 2. D0 K 3 64 - Ю5 ( эВсм 1 / 2, U 0 05 эВ. N - концентрация атомов кремния, см3. [33]

Понижение температуры подложки до - 76 С явилось достаточным для получения сплошного аморфного слоя при облучении кремния ионами различных энергий вплоть до 450 кэВ при дозах - 1015 см-2, при этом качество рекристаллизованных структур оказалось довольно высоким. [34]

Изменение концентрации носителей и эффективной подвижно -. ти при отжиге после имплантации ионов В, BF2. Режим ионной имплантации. 1 - Ю15 см-2, 150 кэВ, термообработка в течение 10 мин. [35]

Ионная имплантация В с дозой 5 - Ю15 см-2 приводит к образованию аморфного слоя. Вообще говоря, при невысокой температуре легко провести аморфизацию подложки. Этот эффект происходит при той же температуре и объясняется теми же причинами, что и обратный отжиг, упомянутый выше. [36]

Повидимому, при всех видах холодной обработки металлов на поверхности образуется более или менее аморфный слой Бэйльби, обусловливающий повышение твердости и износоустойчивости. Весьма показательны результаты недавней работы Финча, Куоррелла и УилманаJ по исследованию внутренних поверхностей цилиндров двигателей внутреннего сгорания. Электронограммы, снятые после окончательной обработки внутренней поверхности цилиндров авиационных моторов, не бывших еще в употреблении, указывали на наличие микрокристаллической структуры и имели явно выраженные кольца а-железа. [37]

Отношение R ядерных энергетических потерь ( dEjdx n к электронным ( dE / dx e для ионов кремния в аморфном кремнии при различной энергии внедряемых ионов. [38]

Известно, что критическая доза внедренных ионов Z) Kp) для получения сплошного аморфного слоя зависит от энергии и интенсивности пучка ионов, их массы и температуры подложки во время имплантации. Структурное совершенство - рекристаллизованных слоев зависит от природы химической примеси, дозы внедренных ионов и других параметров ионной имплантации. [39]

Из зависимостей, представленных на рис. 6.17, видно, что, когда образуется аморфный слой ( Q 1015 см-2), полная активация фосфора происходит практически одновременно с эпи-таксиальной рекристаллизацией аморфизованного слоя. Наличие минимума в зависимостях обусловлено взаимодействием внедренных атомов фосфора с локализованными дефектами различного типа, не образующими сплошного разупорядоченного слоя. [40]

Схемы установки для ионного внедрения с магнитной сепа - - рацией пучка ионов ( а и источника ионов ( б. [41]

Недостатком метода является обилие радиационных дефектов в облученном материале вплоть до образования на поверхности аморфного слоя. [42]

Зависимость дозы аморфизации кремния и германия от атомного номера внедряемого иона ( Е - 30 кэВ, Т - комнатная ( а. температурная зависимость дозы аморфизации германия при внедрении ионов 31Р (. 30 кэВ ( б и зависимость дозы сплошной 1 и поверхностной 2 аморфизации кремния от массы внедряемого.| Отжиг радиационных дефектов в кремнии после внедрения ионов 121Sb с энергией 40 кэВ. [43]

Отжиг радиационных дефектов происходит при различных температурах в зависимости от того, образовался или нет аморфный слой в процессе ионного внедрения. Рекристаллизация аморфизованного слоя в германии происходит при температуре 400 - 500 С, в кремнии - при 600 - 700 С. [44]

При больших дозах облучения порядка 1015 ион / см2 или больше на поверхности кристалла-ми-шенй образуется непрерывный аморфный слой. Толщина слоя зависит от массы и энергии падающих ионов. Чтобы определить механизм роста аморфного слоя, Бургуан и др. [5.43] зондировали области кремция, поврежденные ионной бомбардировкой, с помощью комбинационного рассеяния света. [45]

Страницы: 1 2 3 4