Резистивный слой

Cтраница 1

Резистивный слой р получен в результате локальной диффузии из ограниченного источника. [1]

На подложку напыляется сплошной резистивный слой из сплава МЛТ-3, а сверху через маску - проводники и контактные площадки с подслоем нихром-золото или хром-медь. Затем наносят фоторезист и проводят фотопечать. После проявления остаются защищенные слоем фоторезиста места будущих резисторов. Для травления незащищенных участков применяют травитель, который хорошо растворяет резистивный слой, но не воздействует на контактный слой и подслой. [2]

Температурные характеристики некоторых позисторов. / - СТ5 - 1. 2 - СТ6 - 2Б. 3 - СТ6 - ЗБ. штриховая кривая для СТ6 - 2Б получена при нагреве его проходящим током. [3]

Таким образом, резистивный слой позистора состоит из большого числа контактирующих между собой зерен или кристаллитов полупроводникового титаната бария. Сопротивление позистора определяется сопротивлением обедненный поверхностных слоев на зернах титаната бария. Высота поверхностных потенциальных барьеров оказывается малой при температурах ниже точки Кюри, когда в зернах титаната бария существует спонтанная поляризация и материал обладает очень большой диэлектрической проницаемостью. При температурах, больших точки Кюри, титанат бария претерпевает фазовое превращение из сегнетоэлек-трического в параэлектрическое состояние. [4]

Температурные характеристики некоторых позисторов. [5]

Таким образом, резистивный слой позистора состоит из большого числа контактирующих между собой зерен или кристаллитов полупроводникового титаната бария. Сопротивление позистора определяется сопротивлением обедненных поверх ностных слоев на зернах титаната бария. Высота повер - - ностных потенциальных барьеров оказывается малой при температурах ниже точки Кюри, когда в зернах титаната бария существует спонтанная поляризация и материал обладает очень большой диэлектрической проницаемостью. При температурах, больших точки Кюри, титанат бария претерпевает фазовое превращение из сегнетоэлек-трического в параэлектрическое состояние. [6]

Последовательно с эмиттерными электродами создается внутренний резистивный слой, действующий как балластное сопротивление. Две пластины затем складываются вместе и соединяются под давлением при повышенной температуре. Переход эмиттер - база образуется при этом благодаря диффузии примесей в базовую область. После соединения пластин их края покрываются защитным слоем стекла. [7]

Для защиты от проникновения влаги в резистивный слой резисторы покрывают двумя слоями эмали, а предназначающиеся для использования в условиях тропического климата - четырьмя слоями. [8]

При использовании импедансного метода ( 30 ] резистивный слой по отношению к каждой из областей, которые он разделяет, представляется полупространством с заданным комплексным волновым сопротивлением. В результате электромагнитные поля в областях оказываются связанными лишь через параметры резистивной среды. Прямое их взаимодействие, обусловленное малой толщиной резистивной пленки, при этом не учитывается. Таким образом, используемая электродинамическая модель является неадекватной рассматриваемой направляющей структуре. [9]

Если керамические основания, на которые наносят резистивный слой, нагреты выше температуры омывающих их газов, то углерод при пиролизе предпочтительно осаждается и кристаллизуется на поверхности оснований. Образуется кристаллическая структура пленки, представляющая собой совокупность графитоподобных кристаллитов, разделенных межкристаллитными прослойками. Удельное электрическое сопротивление такой пленки отличается от монокристалла графита, в 100 раз превышая его. [10]

Наиболее распространенные постоянные металлопленочные резисторы - резисторы типа МЛТ - имеют, резистивный слой из металлосилициевых сплавов, состоящих из нескольких компонентов. Эти резисторы имеют примерно в 2 - 3 раза меньшие размеры, чем углеродистые резисторы типа ВС ( в обычном исполнении), имеющие такую же номинальную мощность, обладают большей тепло - и влагостойкостью, более стабильны. Недостатком металлопленочных резисторов типа МЛТ является меньшая надежность резисторов повышенной мощности, особенно при импульсной нагрузке, в результате перегрева в местах микронеод-нородностей. [11]

Чтобы повысить коэффициент преобразования, ветви термопар наносят с небольшим зазором, а в зазор напыляется резистивный слой. Этим достигается значение сопротивления, необходимое для согласования, кроме того, выделяющееся тепло концентрируется на коротком участке резистивного слоя, и температура спаев ( положительная ветвь термопары - резистор и резистор - отрицательная ветвь) повышается. Применение резистивного слоя существенно расширяет возможности изменения параметров термоэлементов. [12]

Варианты ЯС-структур, образованных двумя сопротивлениями.| Однородные структуры с распределенными постоянными. [13]

Постоянная времени такой линии в ( W 1) раз больше, чем в ЯС-структурах с одним резистивным слоем. Введение в Л - С - Л - структуру металлического слоя, полностью или частично перекрывающего соседние элементы, приводит к образованию еще одной разновидности распределенных структур. Емкость металлического слоя относительно верхнего элемента может отличаться от его емкости относительно нижнего элемента в М раз. Различия могут быть достигнуты за счет изменения толщины, диэлектрической проницаемости диэлектрика и площади верхнего элемента. Такая структура называется Я-С - О-МС-М. В зависимости от числа и взаимного расположения элементов могут быть созданы структуры трехполюсников, четырехполюсников и более сложных многополюсников. Все эти структуры являются однородными, если элементарные сопротивления и емкости остаются неизменными по всей ее длине. В неоднородных RC-структурах происходит ступенчатое или плавное изменение элементарных сопротивлений и емкостей. [14]

Конструкция трехслойной /. С-структуры. [15]

Страницы: 1 2 3