Резистивный слой

Cтраница 2

Тонкопленочные С-элементы получают в результате совмещения пленочных конденсатора и резистора таким образом, что одна из обкладок конденсатора является резистивным слоем. [16]

Схема моделирования однородной структуры. [17]

Как видно из предыдущего, анализ многослойных структур с распределенными параметрами может быть проведен, вообще говоря, путем решения краевой задачи для потенциала в резистивных слоях. Граничные условия принимаются на основании заданных конфигураций, питающих цепь электродов, и заданных значений потенциалов и токов в этих электродах. Для сложной формы структуры решение краевой задачи чрезвычайно затруднено и поэтому часто прибегают к моделированию процессов. [18]

Эквивалентная схема конденсатора 132. [19]

Переменные резисторы генерируют те же шумы, что и постоянные, но им, кроме того, присущи шумы, возникающие в месте контакта движка с резистивным слоем. [20]

Присутствие в составе стекла в качестве модификаторов малых ионов Zr4 и Mg2, стягивающих решетку, и крупных ионов Sr2, Ва2, Са2 обеспечивает высокую плотность фритты, которая необходима для затруднения диффузии серебра в резистивный слой из контактных площадок. В составе фритты не должно быть много ионов свинца, иначе их высокая подвижность при вжигании ( при 550 С) нарушает равновесность окислительно-восстановительны процессов, протекающих с серебряно-палладиевым наполнителем. В интервале температур 400 - 800 С стекло 279 - 2 инертно к Pd-A. Применение в качестве фритты боросвинцового стекла, например 660а, не отвечает приведенным выше условиям. [21]

Схема конвейерной печи для вжмгания паст ( а и распределение температуры Т по длине рабочей зоны печи / ( б ]. [22]

Оснастка, используемая при нанееении паст, должна обеспечить точное совмещение отдельных пленочных слоев схемы. Резистивный слой, как правило, наносится последним, так как повторные вжигания изменяют сопротивление резисторов. [23]

При ширине резистора менее указанных значений используют более трудоемкий и дорогой метод фотолитографии. В этом случае на подложку наносится СПЛОШНОЙ резистивный слой, а затем слой фоторезиста, который акционируется через стеклянный фотошаблон. [24]

Размещение навесного элемента на металлизированном посадочном месте с защитным пазом ( о и без паза ( б.| Конструкция печатного резистора. [25]

Печатный резистор характеризуется размерами токового канала - участка резис-тивного слоя между контактными перекрытиями. Контактным перекрытием называют участок перекрытия проводникового слоя другим проводниковым или резистивным слоем с обеспечением электрического контакта между слоями. [26]

Первый способ - одинарное селективное травление ( или одинарная фотолитография) - применяют для изготовления ИМС, проводники которых могут быть выполнены с помощью свободных масок; для получения прецизионных и малых резисторов применяют фотолитографию. Сущность этого способа заключается в том, что на подложку напыляют сплошной резистивный слой, а сверху этого слоя через свободную маску - проводники, контактные площадки. Затем наносят фоторезист и производят фотопечать, совмещая с контактными площадками изображения концов резисторов на фотошаблоне. После проявления на заготовке места будущих резисторов остаются защищенными фоторезистом. Для травления незащищенных участков применяют травитель, который хорошо растворяет резистивный слой, но не действует на материал контактных площадок и проводников. После травления образуется готовая схема, содержащая резисторы, проводники и контактные площадки. На рис. 33 показана схема одинарного селективного травления. [27]

Полученные результаты позволяют дать рекомендации по построению направленных ответвителей ( НО), в которых прямоугольные волноводы связаны [51, 52] через окно, закрытое резистивной пленкой. Если вектор напряженности электрического поля перпендикулярен плоскости падения ( рис. 3.7), амплитуда BS волны, прошедшей через резистивный слой, сильно зависит от угла падения. [28]

Резистивный слой таких резисторов формируется при диффузии хрома в поверхностные слои керамики. Глубина диффузии составляет 10 - 20 мкм, при этом концентрация частиц хрома меняется с глубиной и максимальна на ее поверхности. [29]

Модель гранулярной структуры ( а н ее эквивалентная электрическая схема ( б. [30]

Страницы: 1 2 3