Диффузный слой

Cтраница 3

Толщина диффузного слоя возрастает с уменьшением валентности ионов и концентрации раствора аналогично тому, как изменяется диффузная атмосфера противоионов вокруг каждого отдельного иона ( или вблизи заряженной границы двух фаз) в соответствии с теорией сильных электролитов Дебая и Гюккеля. Плотность объемного заряда и концентрация ионов постепенно убывают по мере удаления от поверхности, приближаясь к равновесной концентрации в глубине раствора. [31]

Толщина диффузного слоя К существенно больше, ( может быть 10 нм) - п сильно зависит от концентрации электролитов в системе [ см. уравнение ( III. При высоких концентрациях электролитов или при введении многозарядных ионов ионный фактор к становится большим, а толщина К 1 / х мала и стремится к нулю. В пределе К 0 и частица незаряжена. В этом случае противоионы адсорбционного слоя полностью компенсируют поверхностный заряд ядра. В результате достигается так называемое изоэлектрическое состояние, часто сопровождающееся потерей агрегативной устойчивости системы. [32]

Схема опыта по передвижению заряженных частиц. 1 2 - трубки. [33]

Противоио-ны диффузного слоя передвигаются к другому электроду. [34]

Сопоставление экспериментальных ( / и рассчитанных по теории Грэма ( 2 кривых дифференциальной емкости ртутного электрода в растворах NaF различных концентраций. а - 0 1 н.. б - 0 01 н.. в - 0 001 н. [35]

Емкость диффузного слоя в этом растворе также рассчитывается по уравнению (24.11) ( при с 0 01), а суммарная емкость - по уравнению (24.6) с использованием уже полученных величин Ci при соответствующих зарядах. Таким образом, получается зависимость емкости двойного слоя от заряда поверхности. [36]

Толщина диффузного слоя определяет скорость, с которой уменьшается потенциал по мере удаления от поверхности. [37]

Емкость диффузного слоя почти не зависит от - потенциала, пока этот потенциал достаточно мал. [38]

Толщина диффузного слоя К существенно больше ( может быть 10 нм) и сильно зависит от концентрации электролитов в системе [ см. уравнение ( III. X 1 / х мала и стремится к нулю. В пределе К О и частица незаряжена. В этом случае противоионы адсорбционного слоя полностью компенсируют поверхностный заряд ядра. В результате достигается так называемое изоэлектрическое состояние, часто сопровождающееся потерей агрегативной устойчивости системы. [39]

Строение диффузного слоя изучено лучше всего на идеально поляризуемых электродах в отсутствие фарадеевского тока и, следовательно, в отсутствие каких-либо реагирующих компонентов. На практике исследуется двойной слой при наличии одного лишь нереагирующего фонового электролита. После этого добавляется небольшое количество реагента и предполагается, что / 2 и Ф2 ( при данном электродном потенциале) не изменяются от малой добавки или проходящего теперь малого тока. [40]

Ионы диффузного слоя непрерывно обмениваются с одноименными ионами адсорбционного слоя, почему эти ионы называются также обменными. [41]

Толщина диффузного слоя ( точно не определимая) убывает с увеличением прибавляемого к золю электролита. От этого убывает С-тютенциал, и частица становится менее стойкой. [42]

Наличие диффузного слоя и заряда у коллоидных ча стп, в гидрозолях благоприятствует сольватации их, предотвращает процесс агрегации и сообщает золю устойчивость, названную Н. П. Песковым агрегативной устойчивостью. [43]

Схема строения мицеллы золя йодистого серебра. [44]

Наличие диффузного слоя и заряда у коллоидных частиц в гидрозолях, а также в золях с полярной дисперсионной средой благоприятствуют сольватации их, предотвращает процесс агрегации и сообщает золю устойчивость, названную Н. П. Песковым агрегативной устойчивостью. [45]

Страницы: 1 2 3 4