Диффузный слой - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Правила Гольденштерна. Всегда нанимай богатого адвоката. Никогда не покупай у богатого продавца. Законы Мерфи (еще...)

Диффузный слой

Cтраница 4


Ионы диффузного слоя, а в некоторых случаях - и ионы, участвующие в строении кристаллической решетки, способны вступать в обменные реакции с ионами, находящимися в растворе. В результате этих реакций некоторое количество ионов исчезает из раствора, а вместо них в растворе в эквивалентных количествах появляются другие ионы.  [46]

Толщина диффузного слоя, а вместе с ней и значение С-потенциала сильно зависят от концентрации противоионов не только основного электролита, обусловливающего заряд данного золя, но и от концентрации противоионов посторонних электролитов. Чем выше концентрация, тем больше противоионов проникает за плоскость скольжения в адсорбционный слой и тем меньше остается их в диффузном слое, а следовательно тем меньше становится С-потенциал. При уменьшении концентрации толщина диффузного слоя противоионов, наоборот, становится больше и при бесконечном разведении, как показывают исследования, может достичь весьма значительных размеров, порядка 1 мк, в то время как толщина адсорбционного слоя составляет доли миллимикрона; в этих условиях и величина С-потенциала достигает максимальных значений, приближающихся к значениям с-потенциала.  [47]

48 Схема строения коллоидной частицы иодида серебра. [48]

Противоионы диффузного слоя нейтрализуют свободный ( избыточный) заряд гранулы: мицелла в целом электронейтральна.  [49]

Строение диффузного слоя изучено лучше всего на идеально поляризуемых электродах в отсутствие фарадеевского тока и, следовательно, в отсутствие каких-либо реагирующих компонентов. На практике исследуется двойной слой при наличии одного лишь нереагирующего фонового электролита.  [50]

Толщина диффузного слоя хрома не превышает 0 1 мм.  [51]

Возникновение диффузного слоя ионов в растворе вблизи межфазной границы обусловлено равновесием между притяжением ( отталкиванием) ионов к заряженному электроду и выравниванием ионных концентраций за счет тепловой диффузии. Трактовка этих авторов близка к теории сильных электролитов Дебая-Хюккеля. Теория Гун-Чэпмена основана на ряде не вполне строгих предположений. Например, в этой теории ионы рассматриваются как точечные заряды, а также принимается, что при переносе ионов к границе раздела фаз затрачивается лишь электростатическая работа. Поэтому теория Гуи - Чэпмена является точной лишь для разбавленных растворов. Далее, в этой теории принимается, что роль растворителя в электрическом взаимодействии между ионом и электродом можно учесть с помощью макроскопической диэлектрической проницаемости. Это предположение в электрохимической теории весьма распространено и зачастую неизбежно, однако его пригодность для описания электростатических взаимодействий на расстояниях, сравнимых с молекулярными размерами, в высшей степени сомнительна.  [52]

53 Зависимость концентрации электролита С ( 1 электрического потенциала г ( 2 и электропроводности уг ( 3 от расстояния до поверхности твердой фазы. [53]

Электропроводность диффузного слоя сольватных оболочек зависит от концентрации и фазового состава ионов.  [54]



Страницы:      1    2    3    4