Другой диод

Cтраница 1

Упрощенная схема запуска триггера на транзисторах. [1]

Другой диод находится практически под пулевым напряжением Ек - ( / к-э. Резисторы R и R в схемах на рис. 3 - 4, а, 6 исключают появление динамического смещения на конденсаторе С при поступлении на вход схемы серии запускающих импульсов. [2]

Можно применить и другие диоды, идентичные по параметрам. Резисторы, сопряженные с выключателями типа ТК-05 соответствующих номиналов, можно заменить малогабаритными, тем самым несколько уменьшить габариты прибора в целом. Для окончательной наладки прибора желательно ( после всех паек и подключения отдельных элементов и узлов) проверить показания прибора на всех пределах и видах измерений, воспользовавшись каким-либо промышленным прибором класса 1 0 - 1 5 и произвести градуировку на соответствующих пределах. [3]

Область входных вольт-амперных характеристик типичного КУВ, учитывающая наибольший разброс для различных образцов данного типа и влияние температуры перехода. Заштрихованная область охватывает все возможные значения тока и напряжения переключения при температурах от - 65 до 125 С. Вертикали, отмеченные 125 С, 25 С и - 65 С, показывают наибольшие значения входного тока, необходимого для переключения при соответствующих температурах. - заштрихованная область охватывает все возможные для осуществления переключения значения входных тока и напряжения при температурах от - 65 до 125 С. верхняя граница области ( 3 в соответствует наибольшему необходимому для переключения входному напряжению. прямые, отмеченные 0 75 и 0 25 в, показывают значения напряжений, не вызывающие переключения, при - 65 и 125 С соответственно. [4]

Включение в схему другого диода и сопротивления ( рис. 2 6) между входным электродом и анодом позволяет выполнить это условие. [5]

Частотный детектор ( а, эквивалентная схема входного контура ( б. характери-стика частотного детектора ( в. [6]

При противоположной фазе работает другой диод и напряжение на выходе меняет полярность. [7]

Туннельный диод отличается от других диодов с р-п-перехо-дами высокой концентрацией примесей, благодаря чему запирающий слой у него становится очень тонким. Это приводит к появлению туннельного эффекта прохождения носителей тока через р-п-переход. [8]

Эквивалент индуктивности.| Принцип дублирования диода. [9]

Аналогично все будет при отказе любого другого диода. Вероятность отказа одновременно двух диодов, приводящая к отказу работы всей четверки, ничтожно мала. Таким образом, повышение надежности по принципу дублирования дает весьма ощутимый эффект. Кстати, в начале главы мы отмечали, что такой принцип дублирования действует в отношении нервных клеток в человеческом мозгу. [10]

Так же, как в других диодах, сопротивление базы варикапа должно быть по возможности меньшим. Одновременно для большего пробивного напряжения необходимо большее удельное сопротивление слоев базы, прилегающих к электронно-дырочному переходу. Основная часть базы - подложка должна быть низкоомной. Тонкий слой базы, прилегающий к переходу, должен быть высокоомным. [11]

Дибензиловый эфир диэтиленгликоля и дибензиловые эфиры других диодов с длинной углеродной цепью превосходят пластол DG по совместимости с поливинилхлоридом и содержащими винилхлорид сополимерами. [12]

Стабилизация рабочей точки детектора триодом каскада усилителя промежуточной частоты. [13]

Этот эффект может быть усилен с помощью другого диода со смещением в обратном направлении, как показано на рис. 11.27. С увеличением температуры сопротивление второго диода также будет падать, стремясь тем самым увеличить обратный ток через диод D2 и уменьшить еще больше общий ток, текущий в цепи базы. [14]

Лг; напряжение между анодом и катодом другого диода Д приблизительно равно нулю. Отрицательные кратковременные пусковые импульсы подаются в катоды пусковых диодов. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5