Другой диод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Чудеса современной технологии включают в себя изобретение пивной банки, которая, будучи выброшенной, пролежит в земле вечно, и дорогого автомобиля, который при надлежащей эксплуатации заржавеет через два-три года. Законы Мерфи (еще...)

Другой диод

Cтраница 4


46 Прямые ВАХ а - n - n - диода ( 1, контрольного диода с р-п-перехо-дом ( 2 и диода Шоттки ( 3. Последний изготовлен на слое эпитаксиалыю-го кремния n - типа, имеющего сопротивление намного меньшее, чем слои, использованные для других двух диодов [ 351. [46]

На рис. 6.3.11 показана прямая ВАХ a - n - п - диода. Для диода Шоттки использовался эпитаксиаль-ный слой и-типа, у которого сопротивление было значительно ниже, чем у слоев для других диодов. Из рисунка видно, что имеет место эффективная модуляция проводимости, что дает в результате меньшее прямое напряжение.  [47]

ДОб - В результате напряжение на диоде запертого транзистора велико и отрицательно, в то время как напряжение на другом диоде тоже отрицательно, но значительно меньше по величине. Оба транзисторных переключателя управляются совместно. Отрицательные импульсы не оказывают влияния на схему вследствие наличия диодов; положительные импульсы вызывают запирание того транзистора, который был предварительно отперт и имел малое напряжение на диоде и, следовательно, опрокидывание схемы.  [48]

Так как германиевые диоды имеют большой разброс параметров, то при их включении последовательно напряжение на каждом из диодов распределяется неравномерно. Но если на одном из диодов окажется напряжение больше допустимого, он будет пробит, что повлечет за собой порчу других диодов. Поэтому диоды необходимо тщательно подбирать по признаку равных внутренних сопротивлений прямому и обратному току.  [49]

Любые типы детекторных диодов, работающие в видеодетекторе, дискриминаторе и дробном детекторе телевизоров, в прин-цнпе, взаимозаменяемы, но с некоторым ухудшением качества изображения или звука, а также надежности работы. Более надежными являются диоды Д1Е, Д2Е, Д2Ж, Д1Ж, так как их обратное напряжение больше, чем у других диодов. Если один из двух диодов вышел из строя в дискриминаторе или в дробном детекторе и заменяется диодом другого типа, то второй ( исправный) диод также подлежит замене, так как дискриминатор или дробный детектор может быть хорошо настроен только при применении однотипных диодов.  [50]

51 Схематическое изображение транзистора. а р - а - р типа. б п - р - п тиаа.| Распределение токов и. [51]

Несмотря на то что каждый из переходов транзистора в отдельности ведет себя как полупроводниковый диод, физические процессы, происходящие в транзисторе, отличны от процессов структуры, представляющей собой простую совокупность двух диодов. При любом электрическом соединении двух диодов ток каждого из них зависит только от величины приложенного к нему напряжения и не зависит от электрического состояния другого диода. В транзисторе ток коллекторного перехода находится в прямой зависимости от величины тока, проходящего через эмиттерный переход.  [52]

53 Искажения сигнала.| Принцип работы полярного детектора. [53]

Принцип работы стереодекодера по методу полярного детектирования показан на рис. 6.6. На вход стереодекодера подается ПМК. Напряжение положительных полупериодов поднесущей частоты, представляющих собой информацию канала А, выделяется одним диодом, а напряжение отрицательных полупериодов - канал Б - другим диодом, включенным в противоположной полярности. Таким образом, на выходах полярного детектора вырабатывается НЧ сигналы ( каналы А к Б) к гармоники поднесущей частоты, которые должны подавляться НЧ фильтрами.  [54]

При проникновении в кристалл полупроводника частицы высокой энергии вдоль ее трека образуется колонка ионизации, геометрические размеры которой могут быть относительно большими, так как пробег частицы высокой энергии в полупроводнике может составлять десятки сантиметров. Поэтому толщина p - n - перехода приемника проникающей радиации или частиц высокой энергии должна существенно превышать толщину p - n - перехода фотодиода и других диодов.  [55]

JV 2, 3, 4; рис. 11 - 18) при отсутствии сигналов на ходах все диоды отперты ( ток от Е идет через источни-и сигналов, внутреннее сопротивление которых много мень - - le R) и не воздействуют на дальнейшие цени. При подаче а один из входов положительного сигнала, большего чем - Е, соответствующий диод запирается, но выходной по-енциал остается низким, так как другие диоды по-преж -: ему открыты. Лишь при подаче больших положительных игналов одновременно на все входы все диоды запрутся, : на выходе образуется высокий положительный потенциал, предаваемый далее.  [56]

Другая диагональ моста присоединяется к вторичной обмотке трансформатора. Направление тока в полупериод, когда знак на верхнем конце обмотки трансформатора, показано на рисунке, при этом ток проводят диоды VD1 и VD3, а другие диоды находятся под обратным напряжением.  [57]

Другая диагональ моста присоединяется к вторичной обмотке трансформатора. Направление тока в полупериод, когда знак на верхнем конце обмотки трансформатора, показано на рисунке, при этом ток проводят диоды VD1 и VD3, а другие диоды находятся под обратным напряжением.  [58]

59 Схема триггерной ячейки сумматора. [59]

При подаче отрицательного импульса через емкости Сс на оба диода, один из них будет пропускать импульс ( диод, приключенный к сетке более высокого потенциала), а другой диод будет заперт отрицательным потенциалом сетки по отношению к катоду.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5