Cтраница 1
Толстый слой меди может быть получен методом термовакуумного напыления с последующим гальваническим наращиванием. [1]
Для ускорения наращивания толстого слоя меди после затяжки исей формы ее можно перенести но 2 - й электролизер, где находится более концентрированный электролит состава ( г / дм3): CuSO4 - 5H O - 250 - 270; НЯ5СХ, ( пл. [2]
Для ускорения наращивания толстого слоя меди после затяжки всей формы ее можно перенести во 2 - й электролизер, где находится более концентрированный электролит состава ( г / дм3): CuSO4 - 5H2O - 250 - 270; H2SO4 ( пл. [3]
Для ускорения наращивания толстого слоя меди после затяжки всей формы ее можно перенести во 2 - й электролизер, где находится более концентрированный электролит состава ( г / дм3): CuS04 - 5H20 - 250 - 270; H2S04 ( пл. [4]
![]() |
Электролизер для исследования интенсивности разрастания катодного осадка при образовании порошкообразных отложений. [5] |
Аноды перед опытом покрывают толстым слоем меди. Электролизер вместе с каломельным или ртутным сернокислым закисным электродом сравнения помещают в термостат с автоматическим регулированием температуры. Медь и в первом, и во втором варианте осаждают из раствора, содержащего 32 г / л CuSO4 - 5H2O и 140 г / л H2SO4 при температуре 25 С. [6]
![]() |
Поперечное сечение вакуумной камеры в области магнитного поля масс-спектрометра. [7] |
На внешнюю поверхность электролитически наносили толстый слой меди, покрывавший все, кроме поверхностей а и d, а алюминиевую прокладку удаляли затем растворением в горячем растворе едкого натра. Между полюсами были оставлены четыре медные прокладки, находившиеся не на пути ионного пучка. Одна из главных трудностей этого метода сборки состоит в обеспечении того, чтобы раствор электролита не попадал на внутренние поверхности полюсов магнита Ъ и с. Максимальная величина потока, полученная в зазоре магнита, равна 19 000 гс. [8]
Одекеркен [76] описывает случай наращивания толстого слоя меди в сернокислом электролите-на матрицу, помещенную у поверхности раствора, в то время как аноды помещались на дне. [9]
После записи поверхность тондиска покрывают тонким слоем серебра, на который в гальванической ванне наращивают толстый слой меди. Последний после отделения от тондиска образует первый оригинал. [10]
Раствор 3 отличается высокой стабильностью и допускает длительную эксплуатацию, что дает возможность получать в нем толстые слои меди. [11]
![]() |
Схема кристалла кубической системы с дислокацией.| Последовательные стадии развития. [12] |
Установлено, что чем больше толщина слоя, тем меньше скорость распространения слоя по грани кристалла и наоборот. Так довольно толстые слои меди на кристалле меди двигаются со скоростью 0 2 мк / мин. [13]
![]() |
Схема кристалла [ IMAGE ] Последовательные стадии развития кубической системы с дис - спирального роста кристалла, вызванного локацией. дислокацией. [14] |
Установлено, что чем больше толщина слоя, тем меньше скорость распространения слоя по грани кристалла и наоборот. Так довольно толстые слои меди на кристалле меди двигаются со скоростью 0 2 мк / мин. [15]