Идентификация - дефект
Cтраница 3
Знание магнитных дефектограмм в процессе дополнительного дефектоскопического контроля повышает эффективность идентификации дефекта, несмотря на весьма ограниченный объем предоставляемой подрядчиком о нем информации. [31]
 |
Тестер ударных импульсов Т2000 и анализатор ударных импульсов А2010 фирмы SPM. [32] |
Третья составная часть системы диагностики - интеллектуальная, обеспечивающая решение задачи идентификации дефектов и прогноза их развития по данным измерений и промежуточным материалам, подготовленным средствами мониторинга. В большинстве систем диагностики функции этой части выполняет эксперт со специальной диагностической подготовкой. Достаточно часто для повышения производительности ему предлагается использовать специальные экспертные программы. И лишь в редких случаях производители систем мониторинга предлагают заменить эксперта пакетом программ для автоматической диагностики машин. [33]
 |
Тестер ударных импульсов Т2000 и анализатор ударных импульсов А2010 фирмы SPM. [34] |
Третья составная часть системы диагностики - интеллектуальная, обеспечивающая решение задачи идентификации дефектов и прогноза их развития по данным измерений и промежуточным материалам, подготовленным средствами мониторинга, В большинстве систем диагностики функции этой части выполняет эксперт со специальной диагностической подготовкой. Достаточно часто для повышения производительности ему предлагается использовать специальные экспертные программы. И лишь в редких случаях производители систем мониторинга предлагают заменить эксперта пакетом программ для автоматической диагностики машин. [35]
При широкомасштабном проведении внутритрубной диагностики магистральных трубопроводов на переходах через водные преграды проводится идентификация дефектов разного типа. [36]
Нами разработана автоматизированная база данных ( рис. 29), значительно упрощающая технологию идентификации дефектов. [37]
ТП на основе современных информационных технологий, включающих создание базы данных дефектных участков, идентификацию дефектов и построение прогнозируемых моделей дефектности ТП. [38]
Определена фактическая глубина залегания газопроводов, проведена оценка напряженного состояния потенциально-опасных участков и оценка состояния изоляционного покрытия, грунтов; произведено вскрытие газопровода с инструментальным обнаружением и идентификацией дефектов КРН газопровода Уренгой-Петровск 1843 - 1S75 км, на котором произошли аварии. По результатам проведенных анализов и обследований произведен капитальный ремонт участка МГ Уренгой-Петровск Ду 1400 мм Полянского ЛПУ с заменой труб 905м, выявлено и устранено при этом 744 очага КРН. На некоторых из дефектов длина трещин достигла длину до 5м и глубину до 9 мм По окончании ремонта было проведено пневматическое испытание участка газопровода. Проведение указанных мероприятий позволило повысить надежность работы указанного участка газопровода Уренгой-Петровск. [39]
Определена фактическая глубина залегания газопроводов, проведена оценка напряженного состояния потенциально-опасных участков и оценка состояния изоляционного покрытия, грунтов; произведено вскрытие газопровода с инструментальным обнаружением и идентификацией дефектов КРН газопровода Уренгой-Петровск 1843 - 1875 км, на котором произошли аварии. По результатам проведенных анализов и обследований произведен капитальный ремонт участка МГ Уренгой-Петровск Ду 1400 мм Полянского ЛПУ с заменой труб 905м, выявлено и устранено при этом 744 очага КРН. [40]
За этот срок нами были разработаны программы работы узлов системы сканирования и взаимодействия ее с бортовым компьютером, системы калибровки и градуировки преобразователей магнитного поля сканирующей системы, системы идентификации дефектов. [41]
 |
Тестовая ячейка типа крест-мост для контроля сопротивления слоя и ширины линии W.| Тестовая ячейка для контроля сопротивления контактов металл - полупроводник. [42] |
При разработке тестовых ячеек, входящих в состав тестовых кристаллов ( схем), определяют тип ячейки, обеспечивающей измерения одного или нескольких заданных параметров; выбирают размер ячейки и число входящих в нее тестовых элементов, что необходимо для оптимизации топологии и размеров тестового кристалла ( схемы) и получения статистически значимой выборки; определяют точность идентификации дефекта с помощью данной ячейки, в том числе выявляют единичные и множественные дефекты. [43]
Полагают, что дальнейшие исследования позволят решить ряд вопросов, связанных с: определением зависимости плотности тока элементов от оптической ширины запрещенной зоны аморфных полупроводников; увеличением коэффициента заполнения вольт-амперных характеристик; оптимизацией параметров легированных слоев; определением уровней концентраций нежелательных примесей, при которых их отрицательное влияние сказывается на характеристиках элементов; улучшением качества омических контактов и идентификацией дефектов на поверхности и в объеме пленок аморфного кремния. Необходимо изучить влияние особенностей структуры материала на процесс переноса носителей заряда, установить зависимость качества пленок от типа реакций, протекающих на поверхности раздела плазмы с подложкой, а также исследовать возможность замены водорода ( применяемого в качестве компенсирующей - примеси) другими элементарными веществами или соединениями. Глубокое понимание процессов, происходящих в солнечных элементах на основе аморфного кремния, и их взаимосвязи со свойствами материала необходимо для создания высокоэффективных элементов большой площади. [44]
В основу идентификации дефектов по классам с учетом их потенциальной опасности положено разделение дес ректов по их протяженности и конфигурации в сечении в зависимости от значение i признаков, указанных в табл. 5.5. В табл. 5.6, приведены данные: для дефектов, не образующих углового отражателя с поверхностью изделия. [45]
Страницы: 1 2 3 4