Тонкий слой - селен
Cтраница 2
 |
Электрографический репродукциоиный аппарат ЭРА. [16] |
Весьма распространенным является электрографический метод копировально-множительных работ, основанный на электризации под воздействием света специальных пластин, покрытых тонким слоем селена. При этом оригинал документа укладывается в электрографический аппарат типа Эра ( рис. 24.8) или Элга и экспонируется на указанную пластину, на которой образуется электрический заряд, позволяющий копировать оригинал. [17]
 |
Выпрямление переменного тока в селеновом выпрямителе. [18] |
Преобразование переменного тока осуществляется селеновыми выпрямительными элементами, которые представляют собой железные диски, покрытые с одной стороны тонким слоем селена, поверх которого нанесен катодный слой из легкоплавкого сплава. [19]
 |
Прохождение тока в селеновом вы - [ IMAGE ] Вольт-амперная прямителе. характеристика селено. [20] |
Основой селенового выпрямителя ( рис. 107) является алюминиевая квадратная шайба или стальной диск 3, на который нанесен тонкий слой селена 4 толщиной 0 05 - 0 08 мм. На слой селена 4 нанесен слой 6 катодного сплава олова и кадмия толщиной около 0 1 мм. [21]
 |
Конечные выключатели. [22] |
Селеновый элемент ( рис. 92, а) представляет собой стальную или алюминиевую шайбу ( основание) 1, покрытую с одной стороны тонким слоем селена 3 и катодного сплава 4 из олова и кадмия. Благодаря этому слою селеновый элемент приобретает свойство пропускать ток только в одном направлении - от алюминиевого основания к катодному сплаву - и задерживать его в обратном направлении. Направление, в котором ток протекает, называют прямым направлением. [23]
 |
Устройство кадмиево-никеле-вого аккумулятора. [24] |
Селеновые столбики состоят из круглых ( диаметром от 5 мм и больше) или квадратных ( от 12X12 мм и больше) алюминиевых пластин ( выпрямительных элементов), покрытых тонким слоем селена. [25]
Более высокие характеристики имеют селеновые выпрямители, представляющие собой стальные диски толщиной 0 5 - 1 5 мм ( в зависимости от диаметра), g % на которые с одной стороны нанесен тонкий слой селена. [26]
 |
Фоторегистриру-ющие устройства. [27] |
Фотополупроводниковый слой, применяемый для электрографической регистрации, должен иметь достаточно высокое удельное темновое сопротивление ( 1013 - 1016 ом-см) и изменять свои проводящие свойства под действием света. Такими свойствами обладают тонкие слои селена, окиси цинка, окиси сернистого кадмия и др. В качестве подложки, на которую наносится светочувствительный слой, может использоваться любой материал, удельное сопротивление которого на несколько порядков ниже удельного темнового сопротивления фотополупроводникового слоя. К таким материалам относятся латунь, алюминий, нержавеющая сталь и бумага. [28]
Селен, высушенный при 200 C, помещают в широкий реакционный сосуд нз пирекса или кварца, который охлаждают льдом. На дне сосуда должен находиться тонкий слой селена. Важно обеспечить хорошее охлаждение и фторирование проводить осторожно, так как иначе образуется SeFe. В заключение жидкий продукт реакции перегоняют в вакууме. [29]
Страницы: 1 2 3