Cтраница 3
Фотополупроводниковые и фотоэлектретпые формы изготовляются способами, заимствованными из электрофотографии. Для получения фотополупроводниковой формы применяется тонкий слой селена ( 10 - 50 мк), нанесенный па металлич. Селеновый слой заряжают в темноте положит, зарядом в поле коронного разряда. Затем изображение оригинала проецируют на поверхность селена с помощью источника света и оптич. В освещенных местах заряд поверхности частично или полностью стекает ( в нек-рых пределах пропорционально количеству упавшего на данное место света), в неосвещенных местах заряд сохраняется. Печатающие элементы благодаря своему высокому потенциалу способны удерживать краску. [31]
![]() |
Принципиальные схемы устройств контактной электрич. печати с форм клас-сич. печати ( а-с подачей тока в печатную зону через печатный цилиндр, покрытый. [32] |
Фотополупроводниковые и фотоэлектретные формы изготовляются способами, заимствованными из электрофотографии. Для получения фотополупроводниковой формы применяется тонкий слой селена ( 10 - 50 мк), нанесенный на металлич. Селеновый слой заряжают в темноте положит, зарядом в поле коронного разряда. Затем изображение оригинала проецируют на поверхность селена с помощью источника света и оптич. В освещенных местах заряд поверхности частично или полностью стекает ( в нек-рых пределах пропорционально количеству упавшего на данное место света), в неосвещенных местах заряд сохраняется. Печатающие элементы благодаря своему высокому потенциалу способны удерживать краску. [33]
![]() |
Устройство твердых выпрямителей. [34] |
Селен - твердый металл серого цвета, обладающий свойством создавать в контакте с другим металлом запорный слой, пропускающий ток в одном направлении; он также обладает свойством изменять свое электрическое сопротивление в зависимости от освещенности, которое используется в фотоэлементах. На железную никелированную шайбу 9 нанесен тонкий слой селена 8, к которому прижата шайба 7 из сплава висмута, олова и кадмия. Пластины 6 служат для присоединения селенового выпрямителя к цепи. Напряжение на один селеновый выпрямитель составляет 10 - 18 В. [35]
![]() |
Зависимости Р ( А. [36] |
Селеновые пленки обладают хорошими поляризационными свойствами, но очень хрупки. Достаточно прочны пластины из каменной соли ( NaCl), напыленные в вакууме тонким слоем селена или германия. Пленки одновременно предохраняют каменную соль от действия влаги. Стопа из четырех селеновых пластин пропускает практически плоскополяризованный пучок лучей. Стопа из трех германиевых пластин также пропускает практически полностью плоскополяризованное излучение. Для компенсации смещения пучка лучей вследствие прохождения восьми плоскопараллельных пластин служит пластина из бромистого калия. [37]
По чисто техническим причинам действительно очень трудно получить совершенный ультратонкий металлический слой ( - 2 - 3 атомных слоя) на диэлектрической или полупроводниковой подложке. Но если, например, на предварительно окисленную кремниевую подложку напылить тонкий слой селена, то последующее напыление металла позволяет получить достаточно однородные ультратонкие слои. Следовательно, создание подходящих сэндвичей хотя технически и очень трудная, но вполне разрешимая задача. [38]
Вблизи индиевого электрода возникает дырочная проводимость, а дальше образуется область выпрямляющего р - и-перехода. Такой выпрямитель способен пропускать ток до сотни ампер на 1 смг контакта. В качестве другого полупроводникового выпрямителя укажем на селеновый выпрямитель, состоящий из тонкого слоя селена между двумя металлическими дисками. [39]
Электрический ток свободно течет со стороны Си2О в направлении Си. Такие элементы применяют как выпрямительные диоды в условиях низкого напряжения и больших токов. Тем не менее они постепенно начинают исчезать из практики. Селеновые элементы изготавливаются следующим образом. На никелированную железную пластинку наносят равномерный тонкий слой селена, затем проводят термообработку, после чего на селен напыляют такие металлы, как Sn, Cd и др., которые имеют низкую температуру плавления. Ток легко протекает от базисной пластины в сторону селена. [40]