Инверсионный слой

Cтраница 1

Энергетическая диаграмма МДП-структуры на основе полупроводникар-типапри У О ( a, V0 ( 6 V0 и eVPe / 2 ( в. [1]

Инверсионный слой отделен от объема полупроводника обедненным слоем, где имеется фиксиров. [2]

Инверсионный слой значительно тоньше обедненного. Толщина последнего составляет сотни ангстрем и более, а толщина индуцированного канала - всего 10 - 20 ангстрем. [3]

Инверсионный слой соединен омически с р-областью основного перехода. Таким образом, в кристалле теперь имеется р-п переход, площадь которого значительно больше площади основного. Соответственно возрастает и обратный ток перехода. Если инверсионный слой распространяется настолько, что соединяется с другим металлическим электродом, то образуется канал, по которому ток течет от одного электрода к другому. Такой канал, например, может образоваться на поверхности базы транзистора и создать сквозной путь току от коллектора к эмиттеру. [4]

Инверсионный слой возникает на p - n - переходах, оксидированных во влажном кислороде, сухом кислороде или парах воды. [5]

Инверсионные слои на поверхности полупроводников играют важную роль, поскольку определяют пробойную характеристику поверхности при сильных электрических полях. Этот вопрос изучали Гарретт и Брат-тэн [33], которые показали, что пробой обусловлен процессами лавинного размножения носителей тока и что он сильно зависит от величины поверхностного потенциала. [6]

Распределение поля в МДП-транзисторе в отсутствие напряжения. [7]

Инверсионный слой значительно тоньше обедненного слоя. Толщина последнего обычно составляет сотни ангстрем, а толщина индуцированного канала составляет всего 10 - 20 А. Как видим, дырки буквально прижаты к поверхности полупроводника. Отсюда ясно, что структура и свойства границы полупроводник - диэлектрик играют в МДП-транзисторах исключительно важную роль. [8]

Инверсионные слои р-типа могут быть созданы различным образом. [9]

Ус инверсионный слой стягивается до толщины, близкой к нулю, в результате чего сопротивление канала резко возрастает и ток практически перестает зависеть от Vq. Такой режим носит название режима ограничения. [10]

Если инверсионный слой оканчивается ниже устья трубы и затем начинается падение температуры, что наблюдается в течение 1 - 3 ч при заходе солнца, образуется веерообразная приподнятая струя. В этом случае загрязнение атмосферы приземного слоя значительно ниже расчетного, так как инверсионный слой служит естественной преградой, предотвращающей опускание загрязняющих веществ на землю. [11]

Почему инверсионный слой аэрозольных частиц расположен на высотах тропопаузы. [12]

Образование инверсионного слоя фиксировалось по плавающему потенциалу на эмиттере при условии, что трещина одновременно проходит через эмиттерный и коллекторный переходы. [13]

Канал проводимости. [14]

Часть инверсионного слоя, заключенного между поверхностью полупроводника и областью объемного заряда, называют каналом. [15]

Страницы: 1 2 3 4