Инверсионный слой
Cтраница 3
Значительный по высоте инверсионный слой над устьем трубы приводит к обратному явлению. Образуется веерообразная задым-ляющая струя. При этом инверсионный слой является преградой для нормального рассеивания загрязняющих веществ, которые в больших концентрациях попадают в приземный слой воздуха. При расположении инверсионного слоя над устьем трубы он действует как крышка, а развивающиеся конвективные вихри перемешивают струю в пределах примыкающего к земле неустойчивого слоя. При таких условиях возможно увеличение приземных концентраций загрязняющих веществ в окрестностях трубы до самых больших значений примерно в течение 30 мин. [31]
При пиролитическом осаждении инверсионный слой - типа менее выражен, а при термовакуумном напылении и ионно-плазмен-ном распылении отсутствует вообще. [32]
В поверхностно-барьерных диодах инверсионный слой образуется в результате электрохимического травления поверхности полупроводника. [33]
Фотодиоды на основе инверсионного слоя изготавливают из кремния р-типа. Тонкий инверсионный слой создается на границе раздела БЮг-p-Si. Толщина инверсионного слоя равна приблизительно 0 1 мкм. Коротковолновая чувствительность таких структур достигает высоких значений. Недостатком структур такого типа является деградация поверхностных состояний при облучении высокоэнергетичными фотонами и связанные с этим нестабильности. [34]
Свойства плазмо-нов в инверсионных слоях обсуждаются в обзоре [1755], а также в § 4 гл. [35]
Образцы для измерений проводимости инверсионного слоя были вырезаны в виде прямоугольных пластинок из кристаллов р-п - jo - типа. [36]
Подвижность зависит от толщины инверсионного слоя, так как длина свободного пробега дырок сравнима с ней и большая часть рассеяния происходит па поверхности. Поэтому 1 зависит от напряжения смещения Vn, положения квазиуровня Ферми относительно середины зоны1) р, и плотности заряда р, создаваемого ионизированными атомами допоров. Таким образом, нужно подсчитать величину /) в уравнении ( 1) и полный пространственный заряд в глубине полупроводника. Пространственный заряд равен но величине, но противоположен по знаку заряда в поверхностных состояниях. Потенциал Ч отсчитывается от положения уровня Ферми в глубине образца. [37]
Особенность исследования осцилляции магнитопроводимости инверсионного слоя состоит в том, что концентрацию формирующих его электронов можно изменять с помощью приложенного к затвору напряжения и вычислять, зная величину этого напряжения. Обычно в экспериментах Шубникова - де Гааза осцилляции магнитопроводимости наблюдают при изменении напряженности магнитного поля, но при постоянной концентрации носителей. На рис. 6 показана периодическая зависимость проводимости электронного инверсионного слоя от напряжения на затворе при постоянном магнитном поле. [39]
Другое дело, когда образующийся инверсионный слой касается металлического электрода или дефекта в кристалле, являющегося центром сильной рекомбинации-генерации носителей заряда. В этих случаях инверсионный переход как бы закорачивается, ток сильно возрастает и ограничивается либо генерационной способностью дефекта, либо насыщением при перекрытии канала под действием разности потенциалов, вызываемой протекающим током. [40]
Впервые же отрицательное магнитосопро-тивление в инверсионных слоях при низких температурах наблюдалось в работах [425, 478] и было приписано эффектам на границе раздела ( см. также разд. [41]
Например, если электроны в инверсионном слое и-типа удерживаются потенциальной ямой вблизи поверхности, то поверхность может чаще рассеивать электроны, чем при обычном механизме объемного рассеяния, значительно снижая при этом подвижность электронов. Это снижение подвижности может оказаться очень существенным в каналах поверхностной проводимости, толщина которых может составлять несколько сотен ангстрем. Если на свободной поверхности полупроводника существует большой диполь, то поверхностное рассеяние будет играть роль как в определении полного изменения проводимости окружающей средой, так и в результатах опытов по эффекту поля. Представленные здесь соображения касаются главным образом влияния поверхностного рассеяния на эти измерения. [42]
В нашей модели при изменении размеров инверсионного слоя результаты меняют масштаб таким образом, что в ответ входит только отношение размеров. Однако некоторые из физических допущений, сделанных при выводе уравнений, при таком изменении масштаба могут нарушаться. В частотности, мы неявно предполагали, что электроны рассеиваются, прежде чем они достигнут стока, что позволяет внести понятие об угле Холла. Однако уменьшение размера системы при фиксированном значении VSD может в конце концов привести ее в режим горячих электронов. [43]
Представлен расчет холловского напряжения в рамках модели конечного двумерного инверсионного слоя. Получен явный вид распределения электрического поля и показано, что оно имеет стеленную расходимость в углах инверсионного слоя. Для этих условий вычислена погрешность измерений холловского напряжения, обусловленная закорачивающим влиянием истока и стока. Установлено, что эта погрешность пренебрежимо мала с точки зрения требований, необходимых для определения постоянной тонкой структуры и создания нового втало-на сопротивления на основе измерений квантового эффекта Холла в инверсионном слое. Кратко рассмотрены пределы применимости модели и иные возможные источники погрешности. [44]
Использовался также сухой азот, но получившийся таким путем инверсионный слой через несколько часов исчезал. Для создания инверсионного слоя, видимо, существенно присутствие активного кислорода. Vn для четырех различных инверсионных слоев на материале re - типа с сопротивлением 8 ом-см. [45]
Страницы: 1 2 3 4