Золотой слой
Cтраница 2
На границе соприкосновения полупроводника с пленкой золота образуется тонкий слой, обладающий односторонней проводимостью, так называемый вентильный или запирающий слой. Этот слой свободно пропускает электроны из полупроводника в покровную золотую пленку, но представляет большое сопротивление для электронов, стремящихся перейти обратно из золотого слоя в полупроводник. В результате на границе полупроводника с покровным золотым слоем возникает разность потенциалов и во внешней цепи, замыкающей золотой слой с полупроводником, возникает электрический ток, обнаруживаемый гальванометром, включенным последовательно во внешнюю цепь. Для удобства полупроводник обычно помещают на металлическую подкладку. [16]
На границе соприкосновения полупроводника с пленкой золота образуется тонкий слой, обладающий односторонней проводимостью, так называемой вентильный или запирающий слой. Этот слой свободно пропускает электроны из полупроводника в покровную золотую пленку, но представляет большое сопротивление для электронов, стремящихся перейти обратно из золотого слоя в полупроводник. В результате на границе полупроводника с покровным золотым слоем возникает разность потенциалов и во внешней цепи, замыкающей золотой слой с полупроводником, возникает электрический ток, обнаруживаемый гальванометром, включенным последовательно во внешнюю цепь. Для удобства полупроводник обычно помещают на металлическую подкладку. [17]
 |
Схема тылового ( а и фронтового ( б фотоэлементов. [18] |
На границе соприкосновения полупроводника с пленкой золота образуется тонкий слой, обладающий односторонней проводимостью, так называемый вентильный или запирающий слой. Этот слой свободно пропускает электроны из полупроводника в покровную золотую пленку, но представляет большое сопротивление для электронов, стремящихся перейти обратно из золотого слоя в полупроводник. Для удобства полупроводник обычно помещают на металлическую подкладку. [19]
На границе соприкосновения полупроводника с пленкой золота образуется тонкий слой, обладающий односторонней проводимостью, так называемый вентильный или запирающий слой. Этот слой свободно пропускает электроны из полупроводника в покровную золотую пленку, но представляет большое сопротивление для электронов, стремящихся перейти обратно из золотого слоя в полупроводник. В результате на границе полупроводника с покровным золотым слоем возникает разность потенциалов и во внешней цепи, замыкающей золотой слой с полупроводником, возникает электрический ток, обнаруживаемый гальванометром, включенным последовательно во внешнюю цепь. Для удобства полупроводник обычно помещают на металлическую подкладку. [20]
На границе соприкосновения полупроводника с пленкой золота образуется тонкий слой, обладающий односторонней проводимостью, так называемой вентильный или запирающий слой. Этот слой свободно пропускает электроны из полупроводника в покровную золотую пленку, но представляет большое сопротивление для электронов, стремящихся перейти обратно из золотого слоя в полупроводник. В результате на границе полупроводника с покровным золотым слоем возникает разность потенциалов и во внешней цепи, замыкающей золотой слой с полупроводником, возникает электрический ток, обнаруживаемый гальванометром, включенным последовательно во внешнюю цепь. Для удобства полупроводник обычно помещают на металлическую подкладку. [21]
Исследование работы потенциометров показывает, что процесс их изнашивания имеет свою специфику. При перемещении щетки по виткам намотки возникают автономные релаксационные колебания щетки, при этом наблюдаются ее скачки и в ряде случаев отрыв от поверхности витка. Такой характер движения обусловливает односторонний тонкий перенос золотого слоя на щетку с образованием на ее контактной части нароста. После полного переноса слоя на щетку вновь начинается окисление, и цикл повторяется. [22]
На границе соприкосновения полупроводника с пленкой золота образуется тонкий слой, обладающий односторонней проводимостью, так называемый вентильный или запирающий слой. Этот слой свободно пропускает электроны из полупроводника в покровную золотую пленку, но представляет большое сопротивление для электронов, стремящихся перейти обратно из золотого слоя в полупроводник. В результате на границе полупроводника с покровным золотым слоем возникает разность потенциалов и во внешней цепи, замыкающей золотой слой с полупроводником, возникает электрический ток, обнаруживаемый гальванометром, включенным последовательно во внешнюю цепь. Для удобства полупроводник обычно помещают на металлическую подкладку. [23]
На границе соприкосновения полупроводника с пленкой золота образуется тонкий слой, обладающий односторонней проводимостью, так называемой вентильный или запирающий слой. Этот слой свободно пропускает электроны из полупроводника в покровную золотую пленку, но представляет большое сопротивление для электронов, стремящихся перейти обратно из золотого слоя в полупроводник. В результате на границе полупроводника с покровным золотым слоем возникает разность потенциалов и во внешней цепи, замыкающей золотой слой с полупроводником, возникает электрический ток, обнаруживаемый гальванометром, включенным последовательно во внешнюю цепь. Для удобства полупроводник обычно помещают на металлическую подкладку. [24]
Если же золотое покрытие имеет губчатую структуру и неоднородно по толщине, то через такое покрытие возможна диффузия окружающих газов. Нередко можно наблюдать, что металл под слоем золота окисляется. И если в этом случае золотое покрытие частично растворено, то смачивания не получается, так как флюсы, которые воздействовали на поверхность золотого слоя, не имеют возможности за ограниченное время проведения процесса проникнуть через пористое золото и очистить вторую поверхность от окислов. Следствием этого является трудно исправимая несмачиваемость, так как в этом случае необходимо снимать золотой слой с основного металла, а затем, чтобы получить хорошее смачивание, очистить поверхность химическим путем. [25]
Если же золотое покрытие имеет губчатую структуру и неоднородно по толщине, то через такое покрытие возможна диффузия окружающих газов. Нередко можно наблюдать, что металл под слоем золота окисляется. И если в этом случае золотое покрытие частично растворено, то смачивания не получается, так как флюсы, которые воздействовали на поверхность золотого слоя, не имеют возможности за ограниченное время проведения процесса проникнуть через пористое золото и очистить вторую поверхность от окислов. Следствием этого является трудно исправимая несмачиваемость, так как в этом случае необходимо снимать золотой слой с основного металла, а затем, чтобы получить хорошее смачивание, очистить поверхность химическим путем. [26]
Их выбор пал на кристалл иттрий-алюминиевого граната YAG, легированный трехвалентным неодимом с концентрацией в один весовой процент. Причиной такого выбора явилось то обстоятельство, что этот материал может быть использован как в качестве образца для охлаждения, так и как кристалл, который служит для получения излучения накачки. В этом эксперименте как лазерный, так и охлаждаемый кристалл были помещены вместе в оптическую кювету. Размеры образца составляли 0 254 см в диаметре и 5 08 см в длину; кристалл поддерживался тремя иглами в специально сконструированной для этого ячейке. На внутренние стенки этой ячейки был нанесен тонкий золотой слой, по-видимому, для того, чтобы перераспределять рассеянное излучение накачки обратно в образец, несмотря на то, что такая техника обладает серьезным недостатком, так как приводит к перепоглощению излучения собственной флуоресценции. [27]
Страницы: 1 2