Cтраница 3
Авогадро, Sft - площадь, приходящаяся на одну молекулу в насыщенном слое. [31]
Для того чтобы скорость реакции была наибольшей, необходимо иметь по возможности более тонкий насыщенный слой на межфазной поверхности. [32]
Нойес и Уитни34 нашли, что скорость растворения кристаллов определяется диффузией из насыщенного слоя, находящегося на поверхности, в глубь раствора. [33]
Газовое силици-рование при температуре 1050 С в течение 2 час обеспечивает глубину насыщенного слоя в 1 мм. Силицирование повышает коррозионную устойчивость в различных средах ( морской воде, азотной, серной и соляной кислотах), жаростойкость и износостойкость стальных и чугунных изделий. [34]
![]() |
Изменение разброса толщины сдоя в партии изделий при цементации ( расчетный или регулируемый углеродный потенциал - 0 55 %. [35] |
Следует, однако, помнить, что возможность образования поверхностных дефектов в насыщенном слое ( внутреннее окисление, избыточное количество карбидной или карболитридной фаз и др.) приводит к изменению фактического состава твердого раствора, а следовательно, к изменению допустимых критических скоростей охлаждении. [36]
![]() |
Понижение о в водных растворах органических кислот. [37] |
Величина S, согласно Ленгмюру, характеризует полярную группу, расположенную в поверхности насыщенного слоя. Толщина насыщенного адсорбционного слоя б отвечает длине правильно ориентированных в нем молекул, образующих мономолекулярный слой. [38]
В работе было научено влияние на процесс диффузии хрома, глубину и характер насыщенного слоя, различных факторов, а именно: 1) температуры, 2) времени выдержки и 3) химического состава стали. [39]
Поэтому процесс растворения кристаллов обусловливается исключительно скоростью диффузии) растворенных частиц из этого насыщенного слоя внутрь растворителя, концентрация которого выравнивается при перемешивании. [40]
Величина S, согласно Лангмюру, характеризует полярную группу, расположенную в поверхности насыщенного слоя. Толщина насыщенного адсорбционного слоя б отвечает длине правильно ориентированных в нем молекул, образующих мономолекулярный слой. [41]
Авогадро; 50 - площадь, приходящаяся на од - Иу молекулу в насыщенном слое. [42]
![]() |
Насыщенный адсорбционный слой.| Зависимость адсорбции от концентрации. [43] |
Поэтому и Г постоянна для всех членов данного гомологического ряда; на 1 см2 насыщенного слоя помещается одно и то же количество вертикально ориентированных молекул независимо от их длины, так как площадь сечения одинакова. [44]
Поэтому и Гоо постоянна для всех членов данного гомологического ряда; на 1 см2 насыщенного слоя помещается одно и то же количество вертикально ориентированных молекул независимо от их длины, так как площадь их сечения одинакова. [45]