Выпрямляющий слой
Cтраница 1
Выпрямляющий слой меднозакисных ( купроксных) выпрямителей образуется на. [1]
 |
Характеристики селеновых шайб. [2] |
Выпрямляющий слой меднозакисного выпрямителя образуется на границе медной пластинки и покрывающей ее закиси меди. [3]
 |
Характеристики селеновых шайб. [4] |
В селеновом выпрямителе выпрямляющий слой образуется между селеном, нанесенным на железную или алюминиевую пластину, и наложенным на него сплавом из кадмия, олова и висмута. [5]
В селеновых выпрямителях выпрямляющий слой образуется между селеном, нанесенным на стальную или алюминиевую пластину и наложенным на него сплавом из кадмия, олова и висмута. [6]
 |
Схема простей - [ IMAGE ] [. Схема купроксного вольт. [7] |
При повышении частоты сопротивление емкости, шунтирующей выпрямляющий слой, падает. Вследствие этого за некоторым пределом частоты сопротивление всей системы становится, примерно, одинаковым в обоих направлениях и она теряет свои выпрямляющие свойства. Частотная ошибка, обусловленная указанной емкостью, составляет, примерно, 0 5 - 1 % на каждые 1000 гц; вследствие этого купроксные вольтметры применяются почти исключительно в области звуковых частот. [8]
По поверхности соприкосновения селена и второго электрода образуется выпрямляющий слой. Второй электрод получается путем шоопирования на селен эвтектического сплава висмута, кадмия и олова, плавящегося при 103 С. [9]
 |
Устройство кристаллических диодов. [10] |
Для цепи высокой частоты контактная пара может быть заменена схемой рис. 4.13, где R и С соответственно сопротивление и емкость выпрямляющего слоя, г - сопротивление растекания в толще полупроводника. В диапазоне метровых и примыкающих к ним дециметровых врлн эта схема может быть принята за схему детектора в целом. На более коротких дециметровых волнах необходимо учитывать индуктивность пружинки и емкость между головками. [11]
 |
Эквивалентная схема СВЧ диода. [12] |
Представление выпрямляющего контакта в виде системы элементов с сосредоточенными параметрами возможно только в том случае, пока линейные размеры системы ( толщина перехода, радиус перехода, размер объема германия, в котором в основном сосредоточено сопротивление растекания) малы по сравнению с длиной волны. Толщина выпрямляющего слоя в СВЧ диодах имеет величину порядка 10 - е см и не будет определять частоту, до которой мы можем пользоваться данной эквивалентной схемой. [13]
Представление диода в виде системы с сосредоточенными параметрами возможно только, если линейные размеры ( толщина перехода, радиус перехода) малы по сравнению с длиной волны. Толщина выпрямляющего слоя в СВЧ диодах имеет величину порядка долей микрона и не определяет частоту, до которой можно пользоваться данной эквивалентной схемой. Сопротивление растекания rs сосредоточено, главным образом, около точечного контакта. Полусферическая область кристалла, определяющая сопротивление rs, примыкает к точечному контакту и имеет радиус в несколько десятков микрон при радиусе контактного острия в несколько микрон. В связи с этим ясно, что сопротивление растекания rs можно представить в эквивалентной схеме в виде сосредоточенного параметра даже до длин волн порядка миллиметра. Размеры конструктивных элементов СВЧ диода уже в диапазоне волн 3 см становятся соизмеримыми с длиной волны, поэтому индуктивность контактной пружины и емкость патрона в этом случае можно рассматривать как сосредоточенные лишь с известными допущениями. [14]
Толщина выпрямляющего слоя в СВЧ диодах имеет величину порядка долей микрона и не определяет частоту, до которой можно пользоваться данной эквивалентной схемой. [15]
Страницы: 1 2