Выпрямляющий слой

Cтраница 2

Конструкция СВЧ-диодов.| Эквивалентная схема СВЧ-диода. [16]

Представить диод в виде системы с сосредоточенными параметрами можно, только если линейные размеры ( толщина перехода, радиус перехода) малы по сравнению с длиной волны. Толщина выпрямляющего слоя в СВЧ-диодах имеет величину порядка долей микрометра и не определяет частоту, до которой можно пользоваться данной эквивалентной схемой. Полусферическая область кристалла, определяющая сопротивление гб, примыкает к точечному контакту и имеет радиус в несколько десятков микрометров при радиусе контактного острия в несколько микрометров. [17]

Ма тонким активным слоем, образуется емкость. При повышении частоты сопротивление емкости, шунтирующей выпрямляющий слой, падает. Вследствие этого за некоторым пределом частоты сопротивление всей системы становится, примерно, одинаковым в обоих направлениях иона теряет свои выпрямляющие свойства. [18]

Рассматриваемый здесь фотоэлемент более известен под названием фотогальванического элемента, описанного Рейхом 129, стр. Этот элемент классифицируется также как элемент с запирающим слоем, так как он имеет выпрямляющий слой. Термин пластинчатый фотоэлемент выпрямляющего типа, очевидно, возник вследствие аналогии конструкции механических и электронных деталей элемента с селеновым выпрямителем. [19]

Медпозакпсный вентиль. а - диск. б - конструкция. 1 - медь, 2 - запирающий слой, з - закись меди, 4 - свинец, S - изоляция.| Селеновые вентили. п - элемент тина ABC. б - элементы типа ТВС. 1 - ос-повааие ( нижний электрод. 2 - слой селена. Я - изоляц. прокладка. 4 - запирающий слой. 3 - контактный слой ( верхний электрод. в - осевое отверстие. [20]

Мед-позакисные ( купроксные) вентили применяются гл. Изготовляются в виде дисков диаметром 2; 4; 5и 7 мм ( рис. 1, я), шайб диаметром 20 и 40 мм или прямоугольных пластин 81 х 300 мм, покрытых слоем закиси меди путем термич. Выпрямляющий слой образуется между слоями закиси меди с разными типами проводимости. [21]

Меднозакисный вентиль. а - диск. б - конструкция. 1 - медь, 2 - запирающий слой, з - закись меди, 4 - свинец, s - изоляция.| Селеновые вентили. а - элемент типа ADC. б - элементы типа ТВС. J - основание ( нижний электрод. 2 - слой селена. з - изоляц. прокладка. 4 - запирающий слой. 5 - контактный слой ( верхний электрод. в - осевое отверстие. [22]

Меднозакисные ( купроксные) вентили применяются гл. Изготовляются в виде дисков диаметром 2; 4; 5и 7 мм ( рис. 1, а), шайб диаметром 20 и 40 мм или прямоугольных пластин 81 х 300 мм, покрытых слоем закиси меди путем термич. Выпрямляющий слой образуется между слоями закиси меди с разными типами проводимости. [23]

Схема формовки на переменном токе. [24]

Может случиться, что набрызгиваемый металл проникнет через слой селена и создаст короткозамкнутые места. Их ликвидируют воздействием на элемент повышенного напряжения, например разрядом конденсатора. Одновременно выжигаются и наиболее слабые точки в выпрямляющем слое. В месте прожога селен расплавляется, образуя кратер, изолирующий поврежденное место. Самовосстановление селеновых элементов относится к числу их преимуществ перед другими твердыми выпрямителями. Места прожогов закрываются непроводящим составом. Наличие некоторого количества прожогов на элементах не ухудшает их выпрямляющих свойств. [25]

Миниатюрные стандартные селеновые выпрямители мостикопого типа ( Интер-иейшнл ректифайер корп., Эль-Сегандо. штат Калифорния. [26]

Сульфид кадмия является полупроводником n - типа и остается им. Кристаллы сохраняют проводимость / г-типа или превращаются в изоляторы 19, стр. В селеновом выпрямителе положительный электрический ток легко проходит в направлении через основную пластинку, затем через слой селе-на, через выпрямляющий слой и, наконец, через уравновешивающий электрод. Направление легкого перемещения электронов противоположно направлению перемещения положительных зарядов. [27]

Страницы: 1 2