Коммутационный слой
Cтраница 1
 |
Двухслойная коммутация с изоляцией в местах пересечений.| Двухслойная коммутация со сплошным слоем изоляции и окнами в изоляции в местах перехода со слоя на слой. [1] |
Затем нижний коммутационный слой маскируют с помощью фоторезиста через тот же фотошаблон, и те участки алюминия, которые при обычной технологии должны были быть стравлены, полностью окисляют в другой ванне. Верхний слой коммутации, наносимый далее, образуется уже на плоском бесступенчатом основании. [2]
Фотолитография коммутационного слоя осуществляется путем использования фоторезиста ФР-200 ( на основе резольной смолы) и травителей: серной кислоты для хрома и щелочного травителя для алюминия. Минимальная ширина линий нижнего коммутационного слоя и расстояние между ними составляют 50 мкм. Нанесение диэлектрического слоя моноокиси кремния толщиной 3 - 4 мкм осуществляется вакуумным испарением через маски на неподогретую подложку. [3]
 |
Принцип построения устройства считывания информации. [4] |
Накопительный слой 13 и коммутационный слой 14 обладают анизотропными свойствами. Легкая и жесткая оси взаимно перпендикулярны и проходят параллельно плоскости карточки. [5]
Для сохранения металлических свойств коммутационного слоя необходима восстановительная или нейтральная среда, а для сохранения стехиометрии керамики - окислительная среда. Более удачное решение состоит в применении контролируемой среды, часть которой оценивают термодинамическим расчетом равновесия всех возможных химических реакций в системе керамика-металл-среда. После того как керамический материал выбран с учетом указанных условий, подбирают полупроводниковый материал. [6]
В связи с тем, что для верхнего коммутационного слоя используют медь, на которую затем в месте контактов требуется нанести олово для контактирования с шариковыми выводами ИС, на медь напыляют тонкий слой ванадия, предохраняющий медь от окисления. [7]
В другом варианте БГИС используется многослойная структура: алюминий в качестве нижнего коммутационного слоя, композиционный диэлектрик SiO2 - Si-Si - SiO2 для изоляционного слоя и структура ванадий-медь ( с оловом в месте контакта) для верхнего коммутационного слоя. [8]
 |
Методы изоляции элементов в полупроводниковых ИС. [9] |
В этих вариантах построения ИС на изолирующей подложке с пассивными элементами и коммутационным слоем подключаются бескор-иусные полупроводниковые элементы или бескорпусные полупроводниковые ИС. При этом достигается оптимальное сочетание высоких технических характеристик активных элементов, выполненных методами полупроводниковой технологии, и пассивных элементов, выполненных методами пленочной технологии. [10]
Помимо физико-химических свойств материалов, на величину Z реального термоэлемента известное влияние оказывают контактные сопротивления рк в коммутационных слоях. [11]
 |
Рекомендации по применению контактолов. [12] |
Электропроводящий клей КМЛ-1 с применением специальных флюсов способен облу-живаться в отвержденном слое оловосвинцо-выми припоями, что позволяет формировать коммутационные слои на различных полимерных подложках, а также подложках из анодированного алюминия с последующей припайкой элементов. [13]
После сушки и разрезки плат в них пробивают сквозные отверстия для последующей металлизации и методом трафаретной печати наносят коммутационный слой. [14]
 |
Схема выращивания термического окисла. [15] |
Страницы: 1 2