Коммутационный слой

Cтраница 2

Осаждение окисла из внешних источников применяют для создания изолирующих покрытий на поверхности совмещенных ИС или ИС со сложным ( двухслойным и трехслойным) коммутационным слоем. [16]

Монтаж с помощью балочных выводов из AI на кристалле.| Балочные выводы на подложке. [17]

На промежуточной пленке из полиимида толщиной 25 мкм ( рис. 151) изготавливают два слоя коммутации, отверстия диаметром 25 мкм для соединения балочных выводов с проводниками верхнего коммутационного слоя и балочные выводы шириной 65 мкм. [18]

Более перспективным методом многослойной коммутации БГИС, позволяющим увеличить число слоев при одновременном повышении надежности пересечений, является использование тонкой полиимидной пленки, на которой с двух сторон формируются коммутационные слои, соединенные между собой через металлизированные отверстия. [19]

В другом варианте БГИС используется многослойная структура: алюминий в качестве нижнего коммутационного слоя, композиционный диэлектрик SiO2 - Si-Si - SiO2 для изоляционного слоя и структура ванадий-медь ( с оловом в месте контакта) для верхнего коммутационного слоя. [20]

Фотолитография коммутационного слоя осуществляется путем использования фоторезиста ФР-200 ( на основе резольной смолы) и травителей: серной кислоты для хрома и щелочного травителя для алюминия. Минимальная ширина линий нижнего коммутационного слоя и расстояние между ними составляют 50 мкм. Нанесение диэлектрического слоя моноокиси кремния толщиной 3 - 4 мкм осуществляется вакуумным испарением через маски на неподогретую подложку. [21]

В [269] описан пакетный вариант компактной батареи, лишенный указанного недостатка. Нанесенный на стыки между разнотипными полосками коммутационный слой 5 осуществляет электрический контакт между ними, а, заполняя перфорацию 4, - и контакт между однотипными полосками на двух сторонах подложки. Тепловые шины ( см. рис. 4.4, б) изготовлены из металлической фольги 7 с нанесенным электроизоляционным слоем S, поверх которого напылены металлические контакты 9, позволяющие сопрягать неограниченное количество звеньев пленочной термобатареи. [22]

В МЭА высокой интеграции тонкопленочные гибридные микросборки ( МСБ) обычно применяются для реализации аналоговых и аналого-цифровых устройств. Одной из отличительных особенностей таких устройств является наличие одного коммутационного слоя металлизации, что создает значительные топологические затруднения при их конструировании. Вторая, важная с точки зрения конструирования, особенность связана с разнотипностью элементов и компонентов, геометрические размеры и форма которых могут изменяться в широких пределах. Причем площадь, занимаемая пленочными элементами на подложке, соизмерима с площадью проводников. Названные особенности тонкопленочных МСБ не позволяют разделить этапы размещения элементов схемы и трассировки соединений, как, например, в матричных БИС. В отличие от устройства МЭА с регулярным размещением однотипных элементов здесь совместно с задачей трассировки соединений должна решаться задача плотного размещения элементов, компонентов и проводников на подложке. Не существует алгоритма, позволяющего выполнить разработку подобных МСБ полностью автоматически без участия человека. [23]

На трубу методом газопламенного напыления наносится слой топливного электрода из никеля или оксида никеля толщиной 0 08 мм, плазмопламенным напылением - слой электролита ( ZrO2) 092 ( Y2O3) o) 08 толщиной 0 25 мм, газопламенным методом - слой катода из ЬаСоОз толщиной 0 19 мм. Коммутационный слой состоит из сплава NiAl ( массовая доля никеля 4 5 %, алюминия 95 5 %) или из смеси сплава NiAl ( массовая доля 65 %) и Zr02, стабилизированного СаО ( массовая доля 35 %), и наносится плазменным напылением. Удельное сопротивление, Ом м, слоев составляло: 0 2 - катодного и 0 015 - анодного. При температуре 1000 С была достигнута плотность мощности 3 кВт / мг при использовании кислорода и водорода. [24]

Расширение области объемного заряда изолирующего р-п перехода ИС.| Транзистор полупроводниковой ИС со скрытым слоем. [25]

Необходимым условием получения высокого коэффициента переноса неосновных носителей в области базы и хороших ВЧ свойств транзистора является малая ширина области базы W. Чтобы обеспечить при этом достаточно высокое пробивное напряжение коллектор - база область объемного заряда перехода должна размещаться преимущественно в коллекторной области, что достигается увеличением концентрации примеси в области базы в 5 - 30 раз по сравнению с коллекторной областью. Концентрацию примеси в эмиттерной области увеличивают еще на полтора-два порядка для получения высокого коэффициента инжек-ции. При указанных соотношениях в легировании отдельных областей концентрация до-норной примеси в приповерхностном слое эмиттера достигает ( 2 - 5) - 1020 см-3. Столь высокая концентрация примеси необходима также для получения хороших низкоомных контактов с металлическими проводниками коммутационного слоя. [26]

Страницы: 1 2