Идеальный диод

Cтраница 2

Поскольку сопротивление идеального диода в непроводящем направлении равно бесконечности, можно практически считать, что ток через диод не течет. [16]

Вольт-амперная характеристика идеального диода учитывает фактически одну только диффузионную составляющую тока на малых уровнях инжекции. При больших же уровнях инжекции выражения (3.8) и (3.9) не учитывают уменьшения диффузионного тока за счет возрастания объемной рекомбинации в области базы. С другой стороны, в идеальном диоде переход считается бесконечно узким и, следовательно, его ВАХ не учитывает рекомбинационно-генера-ционный ток в объеме р-п перехода. Реальный же переход имеет конечную ширину, поэтому указанные процессы, имеющие в нем место, так же как и в любом другом слое полупроводника, играют немаловажную роль. [17]

Однако дробовые шумы идеального диода незначительны, так как в настоящее время считается, что шумовые свойства идеальных диодов определяются тепловыми флуктуациями потока неосновных носителей и актами рекомбинации и генерации носителей в объеме областей базы и эмиттера. [18]

Значения т такого идеального диода приведены на рис. 3.5. В более общем виде взаимосвязь между фотоэлектрическими параметрами показана на рис. 3.6, где принимается во внимание также и коэффициент концентрации солнечного излучения. [19]

Решим уравнение для идеального диода с р-д-переходом. [20]

Лишь при использовании идеального диода ( rs0) усиление не будет зависеть от значений пересчитанных проводимостей g c и g H, если гари их подборе коэффициент регенерации ау сохраняется неизменным. [21]

Выберите параметры, соответстпую-щие идеальному диоду. [22]

Выберите параметры, соответствующие идеальному диоду. [23]

Это объясняется тем, что идеальный диод в открытом состоянии представляет собой резистор с бесконечной проводимостью, а в закрытом состоянии резистор с бесконечным сопротивлением. [24]

Для решения нелинейных задач введен идеальный диод в качестве элемента схемы. Эти два элемента совместно с сопротивлениями, индуктивностями, емкостями и независимыми источниками дают возможность синтезировать модели электронных устройств и цепей. Эти основные схемы, составляемые из управляемых элементов, применяются для выполнения основных операций: линейного усиления, формирования, генерации волн заданной формы и модуляции. Во всех случаях соответствующие функции отображаются аналитически с помощью простых форм волн и простых схем. Почти все эти функции содержат нелинейные операции, осуществляемые или при помощи квадратичной, или кусочно-ломаной аппроксимации. [25]

Какую характеристику имеет полупроводниковый диод и идеальный диод. [26]

Согласно уравнению ( 4) ток насыщения идеального диода определяется только свойствами катода и не зависит от анодного напряжения. В действительности, однако, в области насыщения всегда существует слабая зависимость тока от напряжения. [27]

Диодная ячейка. [28]

Характеристики полупроводниковых диодов существенно отличаются от характеристик идеальных диодов. Сопротивления их в непроводящем направлении значительно меньше, и обратные токи могут оказаться довольно большими. Напряжение отпирания полупроводниковых диодов, достигающее 0 5 - f - 0 8 В, в большой степени зависит от изменения температуры окружающей среды, причем кремниевые диоды, как менее подверженные температурной нестабильности, более точно воспроизводят характеристики идеальных диодов. [29]

Однако характеристики полупроводниковых диодов далеки от характеристик идеального диода, что необходимо учитывать при конструировании диодных детекторов на полупроводниковых диодах. Наиболее существенным недостатком диодных детекторов на полупроводниковых диодах является их небольшое входное сопротивление. Уменьшение входного сопротивления полупроводниковых детекторов обусловлено двумя причинами: невысоким обратным сопротивлением диода и малым сопротивлением транзисторных усилителей низкой частоты, которые подключаются к выходу детектора. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5