Идеальный диод

Cтраница 4

Входные ха - рактеристики транзистора. [46]

Более сложную кусочную эквивалентную схему можно получить, включив в схему еще один идеальный диод с целью аппроксимации области лавинного пробоя. [47]

На входе цепи, состоящей из резистора с сопротивлением г 1 кОм и идеального диода ( рис. 13.2), напряжение и 200 sin ал, В. [48]

Построение кусочно-линейной вольт-амперной характеристики цепи. [49]

Координаты точек излома результирующей характеристики находятся из условия, что в изломе характеристики каждого идеального диода, входящего в эквивалентную схему замещения, напряжение и ток равны нулю. [50]

Особенно важным частным случаем, который охватывается уравнениями Левеллада - Петерсона, является случай идеального диода с. [51]

Линейный ТТ с активной нагрузкой, включенной через диод. [52]

Рассмотрим сначала случай, когда вторичная нагрузка ТТ представляет собой линейный резистор, включенный через идеальный диод. [53]

Ноэто не всегда так для случая кремниевых диодов при комнатной температуре, отступление от характеристик идеального диода связано с наличием генерации и рекомбинации носителей в обедненном слое. Статистика генерационно-рекомбинационных процессов через центры с одиночным энергетическим уровнем в запрещенной энергетической зоне для полупроводниковых материалов была развита Холлом [8], Шокли и Ридом [21] и в настоящее время подобные центры общепринято называть как ХШР-центры. Этот статистический подход был использован Са-хом, Нойсом и Шокли [17] в качестве основы для получения отношения ток - напряжение для кремниевых р - / г-переходов. Эта теория показала, что в таких приборах в достаточно широком диапазоне напряжений смещения и температуры составляющая постоянного тока во внешней цепи, обусловленная актами рекомбинации и генерации носителей в обедненном слое, доминирует над диффузионной составляющей. [54]

Существенными различиями между этой схемой и схемой, показанной на рис. 5.5, являются применение двух идеальных диодов и замена Агэ выражением для гэ. [55]

Таким образом, выходное напряжение синхронного демодулятора полностью совпадает с выходным напряжением (25.7) для схемы с идеальным диодом. [56]

Однако дробовые шумы идеального диода незначительны, так как в настоящее время считается, что шумовые свойства идеальных диодов определяются тепловыми флуктуациями потока неосновных носителей и актами рекомбинации и генерации носителей в объеме областей базы и эмиттера. [57]

В случае транзистора мы распространим дифференциальную Т - образную эквивалентную схему на кусочно-линейную модель путем добавления двух идеальных диодов. Эта модель аппроксимирует характеристики транзистора даже при вычислениях при большом сигнале и переключениях. [58]

Действительно, если для цепи ( рис. 3 - 32), где имеются две ветви с идеальными диодами, уравнения записаны для токов /, ij, и / 2, то система уравнений будет нелинейной. В то же время, если в систему уравнений цепи входят только i и и, то этот же участок может быть рассмотрен как линейная цепь. [59]

Идеальные вольт-амперные характеристики. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5