Обычный выпрямительный диод

Cтраница 1

Обычные выпрямительные диоды имеют малое сопротивление перехода Rn и достаточно высокое сопротивление базы / V Так, распространенные кремниевые диоды типа Д202 - Д205 имеют в среднем значения сопротивлений Rn 0 6 М - ом и rs - 40 ом. Для хорошей работы варикапов необходимы значения Rn значительно большие, a rs значительно меньшие. [1]

У обычных выпрямительных диодов эти параметры велики и поэтому такие диоды плохо работают в импульсных схемах, в особенности при достаточно высокой частоте. [2]

Стабилитрон. a - вольт-амперная характеристика, 6 - определение параметров. [3]

При прямом включении стабилитрон работает так же, как обычный выпрямительный диод. [4]

Прямая ветвь ВАХ обращенного диода аналогична прямой ветви ВАХ обычного выпрямительного диода, так как при прямых напряжениях на обращенном диоде прямой ток может быть образован только в результате инжекции носителей заряда через потенциальный барьер р-л-перехода. Но заметная инжекция может наблюдаться только при прямых напряжениях в несколько десятых долей вольта. [5]

Прямая ветвь ВАХ обращенного диода аналогична прямой ветви ВАХ обычного выпрямительного диода, так как при прямых напряжениях на обращенном диоде прямой ток может быть образован только в результате инжекции носителей заряда через потенциальный барьер р-п-перехода. Но заметная инжекция может наблюдаться только при прямых напряжениях в несколько десятых долей вольта. [6]

Основная часть стабисторов - это кремниевые диоды, отличающиеся от обычных выпрямительных диодов тем, что р-п-пе-реходы для стабисторов формируют в низкоомном кремнии. Это необходимо для получения меньшего объемного сопротивления базы и соответственно меньшего дифференциального сопротивления стабистора. Сопротивление базы может влиять на значение дифференциального сопротивления стабистора, так как его р-п-переход при работе смещен в прямом направлении и имеет малое сопротивление. [7]

Основная часть стабисторов - это кремниевые диоды, отличающиеся от обычных выпрямительных диодов тем, что р-п-пе-реходы для стабисторов формируют в низкоомном кремнии. Это необходимо для получения меньшего объемного сопротивления базы и соответственно, меньшего дифференциального сопротивления стабистора. Сопротивление базы может влиять на значение дифференциального сопротивления стабистора, так как его p - n - переход при работе смещен в прямом направлении и имеет малое сопротивление. [8]

Энергетическая диаграмма ( а и вольт-амперные характеристики ( б обращенных диодов. [9]

Прямая ветвь вольт-амперной характеристики обращенного диода аналогична прямой ветви вольт-амперной характеристики обычного выпрямительного диода, так как при прямых напряжениях на обращенном диоде прямой ток может быть образован только в результате инжекции носителей заряда через потенциальный барьер электронно-дырочного перехода. Но заметная июкекцпя может наблюдаться только при прямых напряжениях в несколько десятых долей вольта. [10]

ВАХ кремниевого стабилитрона ( а и рабочая область ВАХ стабилитрона ( б. [11]

В настоящее время используются точечные и плоскостные конструкции импульсных диодов, технология их изготовления аналогична технологии изготовления обычных выпрямительных диодов. [12]

Вольт-амперная харак - тие зон бУДет отсутствовать теристика обращенного диода. и соответственно не будет. [13]

Ток в прямом направлении у такого диода будет обусловлен инжекцией электронов и дырок, так же как у обычного выпрямительного диода. [14]

Энергетическая диаграмма ( а и вольт-амперные характеристики ( б обращенных диодов. [15]

Страницы: 1 2