Обычный выпрямительный диод
Cтраница 2
К особенностям обращенных диодов относятся низкое падение напряжения на диоде, включенном в пропускном ( обратном) направлении, по сравнению с обычными выпрямительными диодами и относительно низкое напряжение в запирающем ( прямом) направлении. В связи с этим обращенные диоды целесообразно использовать при выпрямлении малых сигналов с амплитудным напряжением в несколько десятых долей вольта. [16]
 |
Энергетическая диаграмма ( а и вольт-амперные характеристики ( б обращенных диодов. [17] |
При концентрациях примесей в р - и n - областях диода, меньших, чем в туннельных диодах, но больших, чем в обычных выпрямительных диодах, можно получить диод, энергетическая диаграмма которого показана на рис. 3.59, а. [18]
Высокая крутизна характеристики в обратном направлении позволяет использовать обращенные диоды для фиксации и ограничения переменных сигналов с напряжением в несколько десятых долей вольта. Использовать обычные выпрямительные диоды для этой цели практически невозможно, так как в указанном интервале напряжения они почти не обладают вентильными свойствами. [19]
СвСмакс / Смин который показывает, во сколько раз изменилась емкость варикапа при изменении обратного напряжения от минимального до максимального значения. Варикапы характеризуют так же и теми же параметрами, что и обычные выпрямительные диоды. [20]
 |
Конструкции импульсных диодов. [21] |
Плоскостные импульсные диоды изготовляют либо методом вплавления примесей, либо диффузией донорных или акцепторных примесей в полупроводниковый кристалл. Практически технология изготовления импульсных плоскостных диодов почти не отличается от технологии обычных выпрямительных диодов. Разница заключается только в выборе исходного материала и в-площади p - n - перехода. Импульсные диоды должны иметь как можно меньшую площадь перехода для получения наименьшей емкости. Исходный полупроводниковый материал для импульсных диодов выбирается с малым временем жизни носителей. [22]
Система электроснабжения на два уровня напряжения ( 14 и 28 В) использует схему рис / 63.2, г. Для получения второго уровня используется электронный удвоитель напряжения или трансформа-торно-выпрямительный блок ( ТВБ), как это показано на рис. 63.2, г. Схема рис. 63.2, ж является модификацией схемы рис. 63.2, д, где стабильное напряжение поддерживается регулятором на Ьыводе дополнительного выпрямителя. На рис. 63.2, ж показана схема с дополнительным плечом выпрямителя, выполненная на стабилитронах, которые в нормальном режиме работают как обычные выпрямительные диоды, а в аварийных режимах предотвращают появление опасного импульсного повышения напряжения. Резистор 14 расширяет диагностические способности схемы. Дополнительное плечо силового выпрямителя, соединенное с нулевой точкой обмотки статора, увеличивает мощность генератора за счет третьих гармонических составляющих, имеющихся в фазном напряжении. В схеме на рис. 63.2, з регулятор прерывает ток в обмотке возбуждения во время стоянки при отсутствии напряжения в фазе генератора. На вход регулятора может подаваться напряжение генератора или аккумуляторной батареи ( пунктир на рис. 63.2, з), а иногда и оба эти напряжения сразу. [23]
В настоящее время в качестве импульсных диодов используют точечные и плоскостные диоды. Технология изготовления импульсных точечных диодов аналогична технологии изготовления выпрямительных точечных высокочастотных диодов. Плоскостные импульсные диоды изготовляют либо методом вплавления примесей, либо диффузией донорных или акцепторных примесей в полупроводниковый кристалл. Практически технология изготовления импульсных плоскостных диодов - почти не отличается от технологии обычных выпрямительных диодов. Разница заключается только в выборе исходного материала и в площади р-л-перехода. Импульсные диоды должны иметь как можно меньшую площадь перехода для получения наименьшей емкости. Исходным для импульсных диодов выбирают полупроводниковый материал с малым временем жизни носителей заряда. [24]
В настоящее время в качестве импульсных используются точечные и плоскостные диоды. Точечные диоды в импульсной технике являются наиболее распространенными. Технология их изготовления аналогична технологии изготовления выпрямительных точечных диодов. Плоскостные импульсные диоды изготовляются либо методом вплавления примесей, либо диффузией донорных или акцепторных примесей в полупроводниковый кристалл. Принципиально технология изготовления импульсных плоскостных диодов не отличается от технологии обычных выпрямительных диодов. Разница заключается только в выборе исходного материала и в площади p - n - перехода. Импульсные диоды должны иметь как можно меньшую площадь перехода для получения наименьшей емкости. Исходный полупроводниковый материал для импульсных диодов выбирается с малым временем жизни носителей. [25]
Страницы: 1 2