Инжекционный диод
Cтраница 1
 |
Схема включения оптрона в качестве коммутирующего элемента. [1] |
Инжекционный диод представляет собой выпрямляющий р-л-переход, свечение которого обусловливается рекомбинацией носителей тока в нем при смещении перехода в прямом направлении. [2]
 |
Пример расчета статической характеристики аналоговой системы с резис-и / тивным датчиком параметра. / - излучательная характеристика ИД. 2 - в.а.х. ИД. 3 -статическая характеристика ИД. [3] |
Инжекционные диоды из арсенида галлия имеют максимум излучения - 900 нм, что хорошо согласуется со спектральными характеристиками кремниевых фотодиодов и фототранзисторов. [4]
Инжекционные диоды обычно изготовляются из арсенида галлия, фосфида галлия и карбида кремния. Их излучение обусловлено интенсивной рекомбинацией электронов и дырок в результате инжекции через р - п переход неосновных носителей тока. [5]
В особую группу выделяют инжекционные диоды ( светодиоды) и индикаторы на их основе. [6]
 |
Принципиальная схема преобразователя на ТД мультивибраторе. [7] |
Из возможных сочетаний видов туннельных и инжекционных диодов наиболее подходящей является пара диодов из арсенида галлия. [8]
Электролюминесценция может быть получена и от так называемого инжекционного диода; здесь излучение обусловлено интенсивной рекомбинацией, в результате инжекции в полупроводник через р-п-пере-ход неосновных носителей тока. Для активирования применяют медь, сернистый кадмий и др. Инжекционные диоды как источники света имеют малую инерционность, время затухания может составлять 1СГ8 сек. Недостатком является невысокий квантовый выход. [9]
Все более широкое применение в индикации находят электролюминесцентные источники света на инжекционных диодах. Эти диоды представляют собой излучающий р - - переход, свечение которого вызвано рекомбинацией носителей заряда при смещении диода в прямом направлении. [10]
Близкими по принципу действия являются оптронные тиристоры, в корпусах которых устанавливаются инжекционные диоды на основе арсенида галлия. [11]
Электролюминесценция может быть получена и от так называемого инжекционного диода; здесь излучение обусловлено интенсивной рекомбинацией, в результате инжекции в полупроводник через р-п-пере-ход неосновных носителей тока. Для активирования применяют медь, сернистый кадмий и др. Инжекционные диоды как источники света имеют малую инерционность, время затухания может составлять 1СГ8 сек. Недостатком является невысокий квантовый выход. [12]
 |
Кристалл полупроводникового светоизлучающего диода.| Характеристики светоизлучаюшего диодаг. [13] |
Спектральный состав излучения диода определяется материалом, из которого он изготовлен, и легирующими примесями. На рис. 11.4 приведены спектральные характеристики некоторых промышленных типов инжекционных диодов. [14]
Работает он примерно так же, как и вакуумный триод: управляющая сетка, помещенная вблизи катода, может своим полем препятствовать или способствовать прохождению электронов и тем самым изменять ток. Инжекционные диоды и триоды сочетают в себе положительные качества электронных ламп и полупроводниковых приборов обычной конструкции. Они не требуют подогрева катода, используются в широком диапазоне температур, могут работать на СВЧ, так как скорость движения электронов в них весьма велика, а междуэлектродные расстояния малы. [15]
Страницы: 1 2