Инжекционный диод
Cтраница 2
Перспектианкми для ФЭП ДГП являются электролюминисцентные источники света. Это различного вида фосфоры ( порошковые - комплекс из мелкодисперсного порошка собственно фосфора, взвешенного в диэлектрике; сублимированные - тонкая однородная поликристаллическая пленка; монокристаллические), электролю - миниоценцив которых возникает в сильных полях. Сюда могут быть отнесены инжекционные диоды, излучение которых обуслов - лено интенсивной рекомбинацией в результате инжекции в полупроводник через р-п-переход неосновных носителей тока. [16]
 |
Зависимость фототока от межбазового напряжения. [17] |
Значение / ф при / бб0 соответствует чувствительности инжекционного фотодиода при разных уровнях инжекции через р - - переход. Ветвь с / Э 0 соответствует чувствительности эквивалентного фоторезистора. Фоточувствительность ОТ превышает чувствительность инжекционного диода и фоторезистора. Чувствительность инжекционного диода в данном случае увеличивается также из-за наличия дополнительного тянущего поля в базе. [18]
Значение / ф при / бб0 соответствует чувствительности инжекционного фотодиода при разных уровнях инжекции через р - - переход. Ветвь с / Э 0 соответствует чувствительности эквивалентного фоторезистора. Фоточувствительность ОТ превышает чувствительность инжекционного диода и фоторезистора. Чувствительность инжекционного диода в данном случае увеличивается также из-за наличия дополнительного тянущего поля в базе. [19]
Страницы: 1 2