Пленарный диод
Cтраница 1
Пленарные диоды имеют относительно небольшую барьерную емкость и находят применение в высокочастотной аппаратуре. [1]
 |
Влияние влагопоглотителя на. [2] |
Так, пленарные диоды и транзисторы, поверхность которых покрыта защитной окисной пленкой, помимо прочих свойств обладают высокой стабильностью параметров, так как на них мало сказывается изменение состояния поверхности. Надежность приборов, изготовленных по планарной технологии ( в том числе и пленарных приборов с эпитаксиальным наращиванием), более чем на порядок превосходит надежность приборов, изготовленных по сплавной и сплавно-диффузион-ной технологии. [3]
Диодная матрица состоящая из кремниевых пленарных диодов. [4]
 |
Модуль супергетеродинного приемника. а эквивалентная схема. [5] |
Последние достижения в области малошумящих пленарных диодов на арсснпде галлия и созданных на их оонове гетеродинных генераторов сделали возможным развитие комплексных узлов при-емно-передающих устройств СВЧ на ОИС. Применение ОИС СВЧ позволяет по-новому подойти к вопросам проектирования и реализации приемных устройств сантиметрового и миллиметрового диапазонов. Ключом к успешному созданию миниатюрных приемных модулей на ОИС является логичное сочетание полупроводниковых приборов с пассивными БЭ в многослойных структурах. [6]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых пленарных диодов. [7]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых пленарных диодов. Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре. [8]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых пленарных диодов. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре. [9]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых пленарных диодов. [10]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых пленарных диодов. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре. [11]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых пленарных диодов. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре. [12]
Диодная матрица, состоящая из кремниевых пленарных диодов. [13]
Охранное кольцо уменьшает обратные токи утечки пленарных диодов и позволяет получать в активной области обедненного слоя высокие напряженности электрического поля. Обычно охранное кольцо получают методом диффузии до формирования перехода на активной площади диода. [14]
Диодные матрицы, состоящие из восьми кремниевых, пленарных диодов, с общим катодом. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора приводится на корпусе. [15]
Страницы: 1 2