Пленарный диод

Cтраница 2

Диодные матрицы, состоящие из трех кремниевых, пленарных диодов, с общим анодом. Бескорпусные, с жесткими выводами, без кри-сталлодержателя. Тип матриц приводится на упаковочном листе групповой тары. Общий вывод ( анод) имеет большой диаметр. [16]

Диодные матрицы, состоящие из трех кремниевых, пленарных диодов, с общим катодом. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные, с жесткими выводами, без кристаллодержателя. Тип матриц приводится на упаковочном листе групповой тары. [17]

Диодные матрицы, состоящие из одного, двух или трех ( в зависимости от заявок потребителя) кремниевых, пленарных диодов, с общим катодом. Бескорпусные, с гибкими выводами, без кри-сталлодержателя. Тип матриц приводится на упаковочном листе групповой тары. Матрицы маркируются на индивидуальной таре цветным кодом: 2Д911А - 1, КД911А - 1 - черной точкой у вывода катода; 2Д911Б - 1, КД911Б - 1 -белой точкой у вывода катода. [18]

Основными разновидностями быстродействующих импульсных диодов являются германиевые диоды с золотой связкой, германиевые и кремниевые диффузионные меза-диоды, кремниевые эпипланарные и пленарные диоды. [19]

Диодные матрицы, состоящие из одного ( 2Д910А - I, КД910А - 1), двух ( 2Д910Б - 1, КД910Б - 1), трех ( 2Д910В - 1, КД910В - 1J кремниевых, пленарных диодов, с общим анодом. Бескорпусные, с гибкими выводами, без кристаллодержателя. Тип матриц приводится на упаковочном листе групповой тары. Матрицы маркируются на индивидуальной таре цветным кодом: 2Д910А - 1, КД910А - 1 - одной красной точкой; 2Д910Б - 1, КД910Б - 1 - двумя красными точками; 2Д9ЮВ - 1, КД910В - t - тремя красными точками. [20]

Диодные матрицы, состоящие из одного ( 2Д904А - 1, КД904А - 1), двух ( 2Д904Б - 1, КД904Б - 1), трех ( 2fl904B - t, КД904В - 1), четырех ( 2Д904Г - 1, 2Д904Е - 1, КД90 4Г - 1, КД904Е - 1) кремниевых, пленарных диодов, с общим анодом. [21]

Конструкция полупроводниковых схемных элементов [ Л. 140 ]. [22]

Для их изготовления, как и в случае сопротивлений, необходим однократный процесс диффузии. Напротив, для изготовления пленарных диодов и транзисторов ( рис. 143 s и г) требуются два или три процесса: маскирование, травление и диффузия. Реализовать индуктивность на основе та-коги метода не удается. [23]

Схема технологического процесса изготовления. [24]

Окись кремния SiO2 - стойкое соединение, способное выдерживать нагрев до высокой температуры и некоторые химические обработки, оставаясь непроницаемым для диффундирующего вещества. Технологические операции при изготовлении пленарного диода и получающаяся структура приведены на рис. 1.5. Основой такой технологии является метод фотолитографии. Экспонированные места фоторезиста полимеризуются и становятся нерастворимыми. [25]

Переход образуется при прр-пускании импульса тока через точечный контакт с поверхностью полупроводника заостренной металлической проволочки, содержащей легирующие примеси. Этот тип прибора уступает рассмотренным выще меза - и пленарным диодам по стабильности и надежности и находит применение лишь в области коротких сантиметровых и миллиметровых волн. [26]

Наиболее перспективными являются диоды, полученные пленарной технологией. Пленарная технология представляет собой совокупность технологических операций, предназначенных для создания в пленарных ( плоских) подложках ( пластинах) р-и-переходов методом локальной диффузии, осуществляемой с помощью оксидных масок и метода фотолитографии. При изготовлении пленарных диодов используется также э п и т а к - спальное наращивание - создание на монокристал-лической подложке слоя полупроводника, сохраняющего структуру подложки. [27]

Второй разновидностью полупроводниковых приборов, при изготовлении которых широко используется метод напыления в вакууме, являются пленарные транзисторы и диоды. В качестве исходного материала для их изготовления чаще всего используют пластинки кремния. В процессе изготовления пленарных диодов и транзисторов напыление металлов в вакууме используется только для создания контактов с электродами базы эмиттера и коллектора. Особенно широко метод напыления используется при изготовлении планарных диодных и триодных матриц. При этом для получения необходимой конфигурации контактов используются методы фотолитографии. [28]

Диодный переключа. [29]

Быстродействие диодного ключа определяется процессами перезарядки паразитных емкостей схемы и переключения диодов. Малые перепады напряжения на элементах схемы и низкоомные нагрузки обеспечивают быструю перезарядку паразитных емкостей. Высокую скорость переключения имеют современные импульсные пленарные диоды с тонкой базой и диоды Шоттки. Примером диодов с тонкой базой является диод КД512А, имеющий время восстановления обратного сопротивления 1 не. В диодах Шоттки отсутствует явление накопления и рассасывания заряда. [30]

Страницы: 1 2