Плоскостной диод

Cтраница 1

Вольтамперная характеристика стабилитрона. [1]

Плоскостные диоды, барьерная емкость которых управляется-напряжением, называются варикапами. Они работают при обратном напряжении и применяются для настройки колебательных цепей. При обратном напряжении 4 в они имеют емкость. Максимальное напряжение, соответствующее минимальной емкости 45 - г - 80 в. Величина емкости при изменении напряжения от максимума до минимума изменяется примерно в три-четыре раза. [2]

Плоскостной диод представляет собой прибор, в котором р-п переход возникает на значительной по площади ( до 1000 мм2 в силовых выпрямительных диодах) границе между полупроводниками р - и n - типов. В таких диодах переход получается методами сплавления полупроводниковых пластин р - и n - типов или диффузии в исходную полупроводниковую пластину примесных атомов. Вследствие большой площади р-п перехода допустимая мощность рассеяния плоскостных диодов малой мощности с естественным охлаждением ( рис. 10.6, а) достигает 1 Вт при значениях прямого тока до 1 А. Такие плоскостные диоды часто применяются в цепях автоматики и в приборостроении. [3]

Вольт-амперная характеристика германиевого диода. [4]

Плоскостные диоды применяются для выпрямления больших по величине переменных токов. [5]

Принцип устройства плоскостных германиевых диодов, изготовленных сплавным ( а и диффузной - ным ( б методами. [6]

Плоскостные диоды в зависимости от площади перехода обладают емкостью в десятки пикофарад и более. Поэтому их применяют на частотах не выше десятков килогерц. Допустимый ток в плоскостных диодах бывает от десятков миллиампер до сотен ампер и больше. [7]

Плоскостные германиевые диоды Д7.| Принцип устройства точечного диода. [8]

Плоскостные диоды могут быть применены в любых выпрямительных схемах, рассмотренных в гл. [9]

Плоскостные диоды имеют плоский электрический переход, линейные размеры которого, определяющие его площадь, значительно больше ширины p - n - перехода. Переход выполняют в основном методами вплавления или диффузии. Пластинку кристалла полупроводника 5 припаивают к кристаллодержателю 2 так, чтобы образовался контакт. Стеклянный изолятор покрыт светонепроницаемым лаком. Корпус служит для защиты диода от внешних воздействий. [10]

Плоскостные диоды, как и точечные, могут быть выполнены с контактом металл - полупроводник. [11]

Плоскостные диоды обладают междуэлектродной емкостью, доходящей до 50 пф, и поэтому могут быть использованы при частотах, не превышающих 50 кгц. [12]

Плоскостные диоды представляют собой плоский р-я переход. Они характеризуются большими допустимыми токами ( до 1 - 2я) и поэтому применяются в качестве выпрямительных элементов. Из-за большой междуэлектродной емкости использование их на высоких частотах ограничено. [13]

Плоскостные диоды позволяют выпрямлять значительные токи, но имеют относительно большую емкость, что ограничивает их применение на высоких частотах. Точечные диоды имеют емкость, во много раз меньшую, но весьма небольшая площадь контакта разрешает выпрямлять с их помощью только малые токи. [14]

Схема устройства полупроводникового точечного диода. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5