Плоскостной диод

Cтраница 4

Повреждения плоскостных диодов обусловливаются, главным образом, изменением характеристик проводимости в прямом направлении. [46]

У плоскостных диодов соприкосновение областей с п и р проводи-мостями происходит на относительно большом пространстве, между которым возникает энергетический барьер. Электрический ток через такой р-п переход начнет проходить после того, как под влиянием разности потенциалов внешнего источника, приложенной к р-п переходу в прямом направлении ( от плюса к минусу), будет преодолено сопротивление этого барьера. [47]

Конструкция плоскостного диода показана на фиг. [48]

Емкость плоскостных диодов выше, чем точечных ( 20 пф), что обусловливает применение их при частотах до 50 кгц. [49]

Теория плоскостного диода с максвелловским распределением электронов по энергиям была разработана Лэнгмюром [3] и Фраем [4] и экспериментально подтверждена. Было найдено, что глубина потенциального минимума является функцией температуры катода, расстояния между катодом и анодом и величины напряжения на аноде. [50]

Добротность плоскостного диода также зависит от частоты, но она не может быть больше единицы вследствие омических потерь в области базы. В этом заключается один из серьезных недостатков плоскостного диода, что затрудняет использование его индуктивных свойств, так как для конструирования широкополосных усилителей добротность индуктивного элемента должна быть порядка пяти и выше. Кроме того, индуктивные свойства наблюдаются в плоскостном диоде лишь при значительных плотностях тока, что связано с большой рассеиваемой мощностью. [51]

Для плоскостного диода, проводимость которого имеет порядок 50 мкмо, соотношение (1.9) дает Cs0 25 мкф, что приблизительно в десять раз больше, чем наблюдается в действительности при опытах. Это снова указывает на то, что в приборах с малой площадью перехода время жизни неосновных носителей заряда ограничивается поверхностной рекомбинацией. [52]

Характеристики реальных плоскостных диодов близки к характеристикам, описываемым выражением ( 5 11), Обратный ток этих диодов несколько возрастает при возрастании обратного напряжения. [53]

У плоскостных диодов большой мощности ( рис. 10.6, б) с радиаторами и искусственным охлаждением ( воздушным или водяным) допустимая мощность рассеяния достигает 10 кВт при значениях прямого тока до 1000 А и обратного напряжения до 1500 В. [54]

Основой точечных и плоскостных диодов являются пластинки полупроводника, вырезанные из монокристалла, имеющего во всем своем объеме правильное кристаллическое строение. В качестве полупроводниковых веществ для точечных и плоскостных диодов применяют чаще всего германий и кремний, а в последнее время также арсенид галлия ( GaAs) и другие соединения. [55]

Измерение амплитуды импульсов с помощью прибора Ц-20.| Измерение прямого ( а и обратного ( б сопротивлений диодов. [56]

У кремниевых точечных и плоскостных диодов обратное сопротивление столь велико, что измерить его тестером: не удается. [57]

Измерение амплитуды импульсов с помощью прибора Ц20.| Измерение прямого ( а и обратного ( б сопротивления диодов. [58]

У кремниевых точечных и плоскостных диодов обратное сопротивление столь велико, что измерить его тестером не удается. Обратное сопротивление германиевых плоскостных диодов колеблется в пределах от 100 кОм до 2 МОм. Во избежание прогрева при измерениях не следует держать диод за корпус. [59]

Условное графическое обозначение полупроводникового диода.| Конструкция точечно-контактного германиевого диода типа Д2. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5