Cтраница 5
В принципе сведения о том, как расположены экстремумы границ зон, можно получить с помощью точных измерений формы края полосы оптического поглощения. В германии и кремнии на длинноволновой части края наблюдается хвост слабого поглощения. Он обусловлен непрямыми переходами, при которых фотон падающего излучения с участием фонона колебаний кристаллической решетки переводит электрон из максимума валентной зоны при k 0 в минимум зоны проводимости, расположенный в стороне от центра зоны Бриллюэна. Можно ожидать, что аналогичные непрямые переходы будут происходить и в материалах, подобных антимониду индия, в которых минимум зоны проводимости находится при k О, а максимумы валентной зоны расположены в стороне от центра зоны Бриллюэна. Если, исходя из формы края полосы поглощения, удастся вычислить энергии участвующих в этом процессе фононов, то, пользуясь спектром колебаний решетки, можно вычислить их моменты и, следовательно, определить величину смещения Ak минимумов от центра зоны Бриллюэна. [61]
Изложенные выше соображения пригодны лишь для значений М не слишком близких к единице. При возрастании числа Моо вблизи поверхности обтекаемого крылового профиля возникают сложные явления, трудно поддающиеся теоретическому анализу. Это смещение не может быть объяснено ранее изложенными простейшими соображениями о влиянии сжимаемости на распределение давлений. Увеличение крутизны спада кривой давления за пиком с ростом числа М, отчетливо наблюдаемое на рис. 117, приводит к резкому возрастанию влияния внутреннего трения ( вязкости) газа, с точки зрения идеальной жидкости эквивалентного некоторому утолщению самого профиля в средней и задней его части, что и может вызвать замеченное смещение минимума давлений. [62]
Изложенные выше соображения пригодны лишь для значений М, не слишком близких к единице. При возрастании числа Мсо вблизи поверхности обтекаемого крылового профиля возникают сложные явления, трудно поддающиеся теоретическому анализу. Это сме-щение не может быть объяснено ранее изложенными простейшими соображениями о влиянии сжимаемости на распределение давлений. Увеличение крутизны спада кривой давления за пиком с ростом числа М ( Ю, отчетливо наблюдаемое на рис. 117, приводит к резкому возрастанию влияния внутреннего трения ( вязкости) газа, с точки зрения идеальной жидкости эквивалентного некоторому утолщению самого профиля в средней и задней его части, что и может вызвать замеченное смещение минимума давлений. [63]
Из-за недостаточной надежности пластмассовых корпусов ИМС ( прежде всего низкой влагоустойчивости) применение их ограничено. ЛР материала корпуса и кристалла примерно на порядок при температуре эксплуатации, которая, как правило, ниже температуры стеклования герметизирующей пластмассы, кристалл испытывает сжимающее напряжение. Механические напряжения кристалла могут привести к отклонениям электрических параметров микросхем, а также снизить механическую прочность кристалла и корпуса. На рис. 2.7 приведены зависимости компонентов напряженного состояния монокристалла кремния со структурой ГЦК, ориентированного рабочей поверхностью в направлении Clll, для температуры стеклования герметизирующей пластмассы 120 С. Напряженно-деформированное состояние монокристалла изменяет его электрофизические параметры, вызывает смещение минимумов зоны проводимости и расщепление запрещенной зоны. [64]
Переход между электронными состояниями молекулы дает в результате изменение в силе взаимодействия ядер и, следовательно, вызывает их ускорение. Изменения в скорости и положении ядер могут произойти только за время, сравнимое с периодами колебаний ядер. Так как эти периоды велики по сравнению с периодом ( 2л / со) фотона, соответствующим электронному переходу, то можно ожидать, что электронные переходы, которые сохраняют неизменным классическую скорость и положение ядер, являются предпочтительными. Большую часть времени ядра находятся вблизи конечных точек А и В, где скорость равна нулю. Можно отметить, что мы отдаем предпочтение двум переходам в состояния, которые вследствие смещения минимумов потенциальной кривой имеют различные энергии. [65]
Целлюлозу следует рассматривать как смесь волокон, различающихся по своей доступности для реакции. В ходе гетерогенной реакции в первую очередь реагируют наиболее доступные волокна целлюлозы. Если это так, го с течением реакции должен измениться и характер распределения гидроксильных групп в отношении энергии водородных связей между ними. При гетерогенной реакции волокон целлюлозы наиболее доступные гидроксильные группы, связанные наименее прочными водородными связями, прореагируют в первую очередь. При таком положении индекс симметрии alb должен уменьшиться, так как относительное поглощение со стороны низких частот ( а с ним связана величина Ъ) должно увеличиться. С другой стороны, при увеличении степени замещения и введении в целлюлозу вместо ОН-групп других радикалов должно произойти ( вследствие сгерических причин) уменьшение прочности водородн х связей между оставшимися гидроксилышми группами. Это обстоятельство, в свою очередь, должно привести к смещению минимума полосы поглощения ОН-групп в ИК-спектре ( VQH) в область более высоких частот. [66]