Cтраница 1
Смещение пиков приводит к систематическим отклонениям этих частных констант решетки от средних или идеальных величин. По направлению и величине этих отклонений оценивают вероятность присутствия напряжений или дефектов упаковки. Наконец, уширение, вызванное дефектами упаковки, можно использовать для установления истинных размеров частиц по известным размерам дефектов, полученным Фурье-анализом по Уоррену - Авербаху. [1]
Смещение пика диффузного рассеяния, обусловленного ближним порядком, за счет влияния размеров атомов при дифракции рентгеновских лучей велико, но отсутствует в случае дифракции электронов. В то же время если при электронографических наблюдениях кристалл наклонить так, чтобы исключить сильные динамические взаимодействия для отдельных диффузных пиков, то смещение этих пиков, связанное с влиянием размеров атомов, станет заметным. [2]
![]() |
Зависимость положения максимума энергетического распределения автоэлектронов, эмиттированных из нанотрубки, от вытягивающего напряжения. [3] |
Это смещение пика может быть обусловлено либо проникновением электрического поля в на-нотрубку, либо границей раздела между нанотрубкой и металлическим острием. [4]
Поэтому смещение пика зависит от атомного окружения, что иллюстрируется приведенным на рис. II.2 - 3 примером исследования ПМР этанола. [5]
![]() |
Осциллограмма импульсного пробоя изоляции, иллюстрирующая восстановление импульсной прочности изоляции и повторный пробой. [6] |
Некоторое смещение пиков токов и срезов волны напряжения объясняется разным смещением лучей тока и напряжения. [7]
![]() |
Осциллограмма импульсного пробоя изоляции, иллюстрирующая восстановление импульсной прочности изоляции и повторный пробой. [8] |
Некоторое смещение пиков токов и срезов волны напряже-ия объясняется разным смещением лучей тока и напряжения. [9]
![]() |
Бесконтактный уровнемер. [10] |
При смещении пиков влево падение давления возрастает. [11]
Отметим, что смещение пиков пик-трансформаторов и пик-дросселей можно получить введением дополнительных подмагничивающих обмоток, однако диапазон регулирования здесь невелик и может сильно искажаться форма управляющих импульсов. [12]
Для проверки влияния температуры на смещение пика распределения ванадия был также проверен образец, проработавший 500 ч с ускоренным подъемом температуры от 360 до 420 С. Полученный профиль ванадия по форме практически одинаков и смещения пика не отвечено. [13]
Фон Курелек ( 1927) измерил смещения пиков первых двух полос поглощения уранилнитрата [ 3 454 г UO2 ( NO3) 2 в 14 мл Н2О ], вызванные добавкой постепенно увеличивающегося количества серной кислоты ( табл. 2.6), и показал, что, если отношение [ Н25О4 ] / [ НЖ) з ] 1 2, полосы принимают положения, характерные для уранилсульфата. Это может свидетельствовать о том, что нитрат-ионы, связанные с катионами уранила, замещаются на сульфат-ионы. [14]
Нужны более точные экспериментальные данные по смещению пика внутреннего Трения, чем имеются в настоящее время. [15]