Cтраница 1
![]() |
Повышение входного импеданса эмиттер-ного повторителя на частотах сигнала за счет включения в цепь следящей связи делителя, обеспечивающего смещение базы. [1] |
Смещение транзистора обеспечивают резисторы Яр R2, R3 - Конденсатор С2 выбирают таким, чтобы его полное сопротивление на частотах сигнала было мало по сравнению с сопротивлением резисторов смещения. [2]
Цепь смещения транзистора Т0 для простоты не показана. [3]
Напряжение смещения транзисторов получается за счет сопротивлений R3 и 4, включенных в цепь базы каждого триода. Шунтирование этих сопротивлений конденсаторами С4 и С5 значительно улучшает переключение транзисторов. [4]
При нормальном смещении транзистора % 0, так как коллекторный переход смещен в обратном направлении. Поскольку нет причин предполагать существование зависимости прк от / Эр, то последнюю производную в правой части ур-ния ( 6: 53) с уверенностью можно приравнять нулю. [5]
Определяем ток смещения транзистора ПП1 4: / 3ss ( l 1 5) / к о i змакс 1 1 - 2 3 ж 2, 5 ма. [6]
Изменены цепи смещения транзисторов. [7]
Выберем напряжение смещения транзистора TI в закрытом состоянии равным - 1 В, тогда делитель Ri, R2 должен создавать напряжение t / Bi 1 В. В то же время во временно-устойчивом состоянии через резистор R проходит ток базы транзистора Т, который должен обеспечивать переход транзистора Т в режим насыщения. [8]
Резистор R предотвращает смещение транзистора Г2 в область проводимости за счет токов утечки транзисторов 7 и Тг. Обычно сопротивление R составляет несколько сотен ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч ом в малосигнальном транзисторе Дарлингтона. [9]
В новом состоянии смещение транзисторов остается близким к его значению в исходном состоянии, а напряжение на базе Т % становится более высоким. [10]
Чтобы установить режим смещения транзистора: ика - - 6 в, / э2 ма, с помощью делителя из сопротивлений R и 3 установим напряжение на базе транзистора смесителя, равное - 2 в. Тогда при Я41 ком ток эмиттера будет равен 2 ма. Кэ - 6 в, необходимо задать напряжение между коллектором и землей - 8 в; тогда падение напряжения на сопротивлении RI должно составлять 4 в. [11]
Существует оптимальный режим смещения транзистора и величина стоковой нагрузки каскада Rcопт к, позволяющие получить максимальное усиление при заданной глубине обратной связи либо при заданном усилении максимальную глубину обратной связи. [12]
![]() |
Схемы проверки триодов. [13] |
Лсм - сопротивление смещения транзистора; Rx - показания омметра. [14]
![]() |
Эквивалентная схема для области верхних частот входного устройства, возбуждаемого от высо-коомного источника сигнала ( генератора тока Ii. [15] |