Смещение - транзистор
Cтраница 4
Чтобы преодолеть это ограничение и устранить большое число проводниковых соединений, Хикернелл и др. [367, 368] разработали принципиально иной подход, согласно которому ПАВ распространяется на кремниевой подложке, а съем сигналов осуществляется решеткой полевых транзисторов, использующих пьезорезистивный эффект - изменение удельного сопротивления, сопровождающее акустическую деформацию. Изменяя смещение транзистора, можно управлять амплитудой и фазой. Поверхностная акустическая волна возбуждается ВШП, покрытым пьезоэлектрической пленкой окиси цинка. Такой подход позволяет изготовлять интегральную микросхему на единой подложке, исключив тем самым навесные соединения с каждым отводом. Устройство, разработанное Хикернеллом, содержит сдвиговый регистр с последояательным считыванием кода и ряд других электронных схем. Устройство может выполнять программируемую корреляционную обработку сигнала, состоящего из 31 кодовой посылки с шириной спектра 10 МГц. Была показана практическая реализуемость такой системы, хотя для этого требуется достаточно высокий технологический уровень. [46]
Напряжение па диоде остается постоянным и равным примерно 0 6 В при изменении тока через него в широких пределах. Поскольку напряжение смещения транзистора стабильно, ток коллектора также остается практически постоянным при снижении напряжения питания. [47]
Простейшая схема трехкаскадного усилителя постоянного тока на транзисторах показана на рис. 13.12. Сигнал с коллекторного резистора предыдущего каскада подается непосредственно на базу следующего. Падение напряжения на RK обеспечивает нормальное смещение следующего транзистора. Коллекторный потенциал транзисторов возрастает в каждом последующем каскаде. Одновременно возрастают и потенциалы эмиттеров, для чего необходимо соответствующее возрастание эмиттерных резисторов или увеличение токов эмиттеров, что в свою очередь приводит к уменьшению коэффициента усиления. [48]
Печатные резисторы в ГИМ СВЧ практически не отличаются от резисторов низкочастотного диапазона. Здесь их используют в цепях смещения транзисторов и диодов, в качестве аттенюаторов и нагрузок. В последнем случае требуется более высокая ( на порядок) удельная мощность рассеяния, до 40 Вт / см2, достигаемая при принудительном охлаждении с учетом того, что на один ГИМ СВЧ приходится несколько резисторов. Благодаря повышенному удельному электрическому сопротивлению резистивного слоя поверхностный эффект практически не проявляется и ток течет по всему сечению резистора. [49]
Выбор Ек и RK базируется на требуемом выходном сопротивлении одновибратора и выходном напряжении. Сопротивление R3 влияет на напряжение смещения транзистора TI и выходное напряжение, R - на ток базы транзистора Т2 и вместе с С определяет время выдержки одновибратора. Наконец, сопротивления резисторов Ri и 2 влияют на напряжение смещения и ток насыщения транзистора TI во временно-устойчивом состоянии. [50]
При открытых транзисторах Тг и Т3 транзистор Т4 закрывается, увеличивая сопротивление в цепи коллектора Т3 и предохраняя источник питания от перегрузки. Диод выполняет роль сопротивления для создания смещения транзистора Т4 и улучшения помехозащищенности схемы. [51]
В случае транзисторных цепей для амплитудной модуляции колебаний несущей могут быть использованы несколько способов. Один из них состоит в модуляции напряжения смещения транзистора. В этом случае рабочая точка, соответствующая немодулированному напряжению смещения, находится за пределами отсечки, и амплитуда колебаний несущей устанавливается таким образом, чтобы немодулированные пики оказались посреди области между состояниями насыщения и отсечки. Модулирующее напряжение включается последовательно с постоянным напряжением смещения, приложенным к базе. [52]
 |
Схема стабилизации амплитуды. [53] |
С-генераторы выполняют на нескольких транзисторах по схеме самовозбуждающегося мультивибратора. Частота генерации может управляться либо изменением напряжения смещения транзисторов, либо с помощью управляемых резисторов. Основой генератора является дифференциальный каскад, собранный на транзисторах Т2 и ТЗ. Управляющее напряжение подается на затвор этого транзистора. Оно должно быть отрицательным по отношению к общему проводу. Выходной эмиттерный повторитель - транзистор Т5 - служит для уменьшения влияния нагрузки на частоту генерации. [54]
В действительности через входные зажимы ОУ проходит небольшой постоянный ток смещения транзисторов. [55]
Этим корректором служит резистор Щ8, которым можно в небольших пределах изменять напряжение смещения транзистора VT6, а значит, и длительность импульса ждущего мультивибратора. [56]
 |
Дешифратор на основе карректоров. [57] |
Здесь карректор выполняет роль нагрузочного сопротивления, включенного в коллекторную цепь транзистора. Величина выходного напряжения при отсутствии сигнала на входе определяется сопротивлением резистора RI в цепи смещения транзистора. [58]
Известны другие, более совершенные схемы построения источников постоянного тока. В этих схемах вместо резистора R4 применяют диод со специально подобранными характеристиками, который способен компенсировать изменение смещения транзистора Т3, вызываемое нестабильностью температуры. [59]
Дополнительным фактором обеспечения надежной работы преобразователя является строгий алгоритм подключения систем питания При запуске сначала подается напряжение в схему управления, затем включается силовое питание. При выключении преобразователя первым отключается силовое питание, затем проверяется разряд всех фильтровых конденсаторов и только в последнюю очередь отключается питание цепей смещения транзисторов. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5