Смещение - уровни
Cтраница 1
Смещение уровней 2Si / 2 и 2Pi / 2 при 7 - 6 уже сейчас имеет экспериментальный интерес. Переход с него на основной уровень запрещен и может осуществляться только с вылетом электронов Оже с энергией порядка 70 кэв. [1]
 |
Возмущение колебательных. [2] |
Смещение уровней максимально для первых и вторых уровней, находящихся на ординатах области пересечения. [3]
Смещение уровней получается из-за того, что слушателю не сообщается величина среднего уровня первичного акустического сигнала. Поэтому слушателя устанавливают средний уровень по своему усмотрению. А так как в устройствах обработки сигналов этот уровень непрерывно изменяется, то, как правило, практически невозможно точно восстановить средний уровень, равный среднему уровню первичного акустического сигнала. К тому же по условиям звукоизоляции не всегда и допустимо устанавливать такой уровень у слушателя. [4]
Смещение уровней под влиянием взаимодействия изображается расстоянием между жирной и ближайшей пунктирной линиями. [5]
Смещение уровней энергии в первом приближении определяется соответствующими диагональными матричными элементами возмущения. [6]
Смещение уровней энергии в первом приближении определяется соответствующими диагональными матричными элементами возмущения. Как квадратичная по полю величина, смещение А. [7]
Тогда смещение уровней следует отсчитывать от центра тяжести первоначальной мультиплетной структуры. [8]
Вследствие смещения демаркационных уровней часть уровней ловушек захвата становится уровнями рекомбинационных ловушек. С ростом концентрации рекомбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей заряда, что и является первой причиной сублинейности световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности различны у различных фоторезисторов и определяются концентрацией тех или иных примесей в полупроводнике и распределением примесных уровней по запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника. [9]
 |
Световая характеристика фоторезистора. [10] |
Вследствие смещения демаркационных уровней часть уровней ловушек захвата становится уровнями рекомбинационных ловушек. С ростом концентрации рекомбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей заряда, что и является первой причиной сублинейности световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности различны у различных фоторезисторов и определяются концентрацией тех или иных примесей в полупроводнике и распределением примесных уровней по запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника. [11]
В результате смещение уровней будет пропорционально полю, что и наблюдается на самом деле. Таким образом сущность различия в поведении в электрическом поле атома водорода и водородоподобных атомов заключается в том, что в первом случае в группе состояний, принадлежащих уровню Е, имеется электрический момент, а во втором случае в группе состояний атома, относящихся к уровню Е & ь электрический момент отсутствует и появляется только в результате поляризации ( деформации) атома. [12]
Он состоит в расщеплении и смещении уровней энергии атома при наложении внешнего электрического поля. Когда электрон находится на некруговой орбите, то такое поле создает у атома электрический дипольный момент. В ранней лабораторной спектроскопии измерялись два вида этого эффекта1): линейный эффект Штарка, когда смещение линии излучения прямо пропорционально силе электрического поля, и квадратичный, когда зависимость от силы поля квадратичная. Эффект был обнаружен Штарком ( 1913) незадолго до создания квантовой теории строения атома. [13]
В сдвиге линий проявляется только часть смещения уровней, обусловленная оптическим электроном. Сдвиг уровней, связанный с электронами атомного остатка, при переходах оптического электрона остается неизменным и поэтому не может быть экспериментально зарегистрирован. Исходя из этого, при расчете сдвига уровней из наблюдаемого сдвига линий его обычно полагают равным нулю. [14]
Для более подробного анализа рассматриваемого вопроса нам следовало бы обратиться к схемам смещения уровней при сближении ядер соединяемых атомов, но мы пока оставим эти рассуждения до более углубленного изучения теории химической связи. [15]
Страницы: 1 2 3 4