Cтраница 2
В частности, рассматриваемая модель центра свечения позволяет делать некоторые качественные прогнозы относительно смещения уровней активатора в кристалле. Совершенно очевидно, например, что электростатическое взаимодействие двухвалентных ионов активатора с соседними ионами решетки основного вещества должно быть больше, чем для одновалентных ионов активатора. [16]
В § 32 было показано, что возмущение можно считать слабым, если вызываемое им смещение уровней мало по сравнению с расстоянием между уровнями. В данном случае это относится к уровням тонкой структуры. Далее, поправка к значению уровня энергии получается путем усреднения возмущающей энергии по невозмущенному состоянию. [17]
Рассмотрим теперь поведение мультиплетного уровня во внешнем электрическом поле, начав со случая слабого поля, когда смещение уровней, вызванное им, мало по сравнению с естественным расщеплением мульти-плета. [18]
Действие технологических защит и сигнализации проверяется путем замыкания контактов вторичных приборов газоанализаторов, контактов электроконтактного манометра, смещением уровней в регуляторах давления более чем на 200 мм в ту и в другую сторону. [19]
![]() |
Передаточная характеристика ( а и условное изображение стробируемых компараторов со стробированием по уровню ( б и по фронту ( в. [20] |
Упрощенная структурная схема компаратора напряжения приведена на рис. 9.2. Она состоит из входного дифференциального каскада ДК, устройства смещения уровней и выходной логики. Входной дифференциальный каскад формирует и обеспечивает основное усиление разностного сигнала. [21]
Кроме того, при малом объеме У2 сильно увеличивается относительная величина поправок на изменение объема газов, происходящее в результате смещения уровней манометрических жидкостей. [22]
![]() |
Уровни воды в регуляторах-промывателях водорода и кислорода. [23] |
Изменение уровней воды в регуляторах-промывателях газов в пределах 200 мм не представляет опасности для работы установки, так как при таком смещении уровней водород и кислород остаются надежно разделенными гидравлическим затвором. [24]
Изменение уровней воды в промывателях газов и регуляторах давления в пределах 200 мм не представляет опасности для работы установки, так как при таком смещении уровней водород и кислород остаются надежно разделенными гидравлическим затвором. Поэтому защита от увеличения перепада давлений является предупредительной и срабатывает задолго до образования опасной ситуации. [25]
В оптоэлектронной схеме преобразователя ТТЛ-ЭСТЛ ( рис. 5 - 21, б) оптрон On осуществляет гальваническую развязку входного и выходного каскадов, тем самым облегчая смещение уровней сигналов на произвольную величину. В качестве оптрона в схемах согласователей обычно применяются, как наименее инерционные, диодные оптроны. Резисторы Rh и R2 подбираются по допустимым токам оптрона и его коэффициенту передачи. Эта схема довольно проста и легко может быть реализована в виде гибридной ИС или микросборки с бескорпусными оптронами, в настоящее время выпускаемой промышленностью. [26]
Выходные эмиттерные повторители ЭП, выполненные на транзисторах Т5 и Т6, предназначены для образования второй ступени логических функций, усиления выходных сигналов по мощности ( по току), обеспечения заданной нагрузочной способности при работе на линии связи и смещения уровней сигналов по напряжению для совместимости ИС по входу и выходу. [27]
Выходные эмиттерные повторители ЭП, выполненные на транзисторах Т5 и 7 6, предназначены для образования второй ступени логических функций, усиления выходных сигналов по мощности ( по току), обеспечения заданной нагрузочной способности при работе на линии связи и смещения уровней сигналов по напряжению для совместимости ИС по входу и выходу. [28]
![]() |
Схема логического элемента 2И / 2И - НЕ серии 500 ( а и его условное обозначение ( б. [29] |
Выходные эмиттерные повторители ( ЭП), выполненные на транзисторах VT5 и VT6, предназначены для образования второй ступени логических функций, усиления выходных сигналов по мощности ( по току), обеспечения заданной нагрузочной способности при работе на линии связи и смещения уровней сигналов по напряжению для совместимости ИС по входу и выходу. [30]