Геометрическое смещение
Cтраница 1
Геометрическое смещение зависит от зазоров S ] ( 1) и St ( 2) и расстояний между обрабатываемыми отверстиями и торцами втулок. [1]
Геометрическое смещение оси инструмента зависит от зазора в сопряжении инструмент - сменная втулка, от смещения осей шпинделя и постоянной втулки, радиального биения инструмента и других причин. [2]
Зная напряжение геометрического смещения ( или определив его способом, описанным в гл. [3]
При обработке соосных отверстий с одной стороны геометрическое смещение инструмента при зазорах между втулками и инструментом меньше ( особенно при переднем и заднем направлениях инструмента), а следовательно, меньше и отклонение от соосности, чем при обработке с двух сторон; эту схему целесообразно применять на чистовых переходах обработки. [4]
Позиционное отклонение оси отверстия определяется суммарным влиянием геометрического смещения Аг оси инструмента в направляющих втулках и упругого смещения Ду под влиянием неуравновешенных сил резания, возникающих при наличии неравномерного распределения припуска по углу поворота инструмента. [5]
Позиционное отклонение оси отверстия определяется суммарным влиянием геометрического смещения Дг оси инструмента в направляющих втулках и упругого смещения Ду под влиянием неуравновешенных сил резания, возникающих при наличии неравномерного распределения припуска на обработку. [6]
 |
Искажение формы отверстий в продольном сечении при растачивании в кондукторе. [7] |
При обработке с направлением инструмента на точность обработки соосных отверстий наряду с упругими деформациями влияет геометрическое смещение инструмента в кондукторных втулках. Удельное значение упругих отжатий и геометрических смещений в суммарном смещении осей зависит от схемы обработки соосных отверстий. [8]
 |
Термокомпенсация в транзисторных генераторах.| Кварцевый гене. [9] |
Удовлетворительная работа транзисторных генераторов может быть получена только при использовании схем, компенсирующих изменения напряжения геометрического смещения и крутизны, происходящих вследствие изменений окружающей температуры или температурного режима транзистора. С увеличением температуры напряжение геометрического смещения уменьшается, поэтому при неизменных напряжениях в цепи базы транзистор можег выйти из строя. Получить необходимые изменения напряжения на базе, компенсирующие изменения геометрического смещения, можно, если снимать напряжение смещения, с потенциометра, одно из племен которого изменяет свое сопротивление с температурой. [10]
Отклонение Да расположения оси отверстия относительно баз детали формируется под влиянием трех основных составляющих: геометрического смещения Дг станка, погрешности Деу установки заготовки и упругого смещения Ду элементов технологической системы. Геометрические смещения агрегатно-расточно-го станка периодически изменяются в процессе эксплуатации под воздействием тепловых деформаций Дт, а в течение длительной эксплуатации - и износа Ди элементов станка. [11]
Нестатичные структуры имеют комплексные частицы с чрезвычайно плоской поверхностью потенциальной энергии в окрестности минимума, что влечет за собой большие геометрические смещения атомов в ходе деформационных колебаний. [12]
У сепараторов, центрированных по наружной обойме ( вид б), сдвиг центра тяжести сепаратора в результате износа направлен в сторону, противоположную геометрическому смещению сепаратора. Суммарное смещение а значительно меньше, износ происходит медленнее и центровка сохраняется дольше. [13]
Геометрическое смещение зависит от зазоров SKD и SKJJ и расстояний между обрабатываемыми отверстиями и торцами втулок. [14]
Отклонение Да расположения оси отверстия относительно баз детали формируется под влиянием трех основных составляющих: геометрического смещения Дг станка, погрешности Деу установки заготовки и упругого смещения Ду элементов технологической системы. Геометрические смещения агрегатно-расточно-го станка периодически изменяются в процессе эксплуатации под воздействием тепловых деформаций Дт, а в течение длительной эксплуатации - и износа Ди элементов станка. [15]
Страницы: 1 2