Геометрическое смещение
Cтраница 2
Удовлетворительная работа транзисторных генераторов может быть получена только при использовании схем, компенсирующих изменения напряжения геометрического смещения и крутизны, происходящих вследствие изменений окружающей температуры или температурного режима транзистора. С увеличением температуры напряжение геометрического смещения уменьшается, поэтому при неизменных напряжениях в цепи базы транзистор можег выйти из строя. Получить необходимые изменения напряжения на базе, компенсирующие изменения геометрического смещения, можно, если снимать напряжение смещения, с потенциометра, одно из племен которого изменяет свое сопротивление с температурой. [16]
 |
Искажение формы отверстий в продольном сечении при растачивании в кондукторе. [17] |
При обработке с направлением инструмента на точность обработки соосных отверстий наряду с упругими деформациями влияет геометрическое смещение инструмента в кондукторных втулках. Удельное значение упругих отжатий и геометрических смещений в суммарном смещении осей зависит от схемы обработки соосных отверстий. [18]
Величины элементарных погрешностей и их удельное значение в суммарной погрешности расположения осей отверстий изменяются в больших пределах в зависимости от многих технологических факторов. Соотношение главных составляющих суммарной погрешности - геометрического смещения осей ( Аг) и упругих отжатий ( Ду) в ТС - непосредственно связано с силовыми нагрузками в процессе обработки. [19]
При обработке соосных отверстий с одной стороны геометрическое смещение инструмента при зазорах между втулками и инструментом меньше ( особенно при переднем и заднем направлениях инструмента), а следовательно, меньше и отклонение от соосности, чем при обработке с двух сторон; эту схему целесообразно применять на чистовых переходах обработки. [20]
Генераторы с внешним возбуждением и с самовозбуждением на транзисторах собирают по тем же схемам, что и ламповые триодные генераторы, причем роль катода в них играет эмиттер, роль сетки - база и роль анода - коллектор. Однако следует учитывать и ряд особенностей транзисторов. В отличие от ламповых триодов напряжение запирания ( геометрическое смещение) транзисторов типа р-п - р имеет положительное значение. Статическая крутизна транзисторов приблизительно на порядок выше, чем у пентодов, а входное сопротивление на 1 - 2 порядка ниже. При работе на частотах, превышающих критическое значение, импульсы коллекторного тока уменьшаются приблизительно обратно пропорционально частоте. [21]
Удовлетворительная работа транзисторных генераторов может быть получена только при использовании схем, компенсирующих изменения напряжения геометрического смещения и крутизны, происходящих вследствие изменений окружающей температуры или температурного режима транзистора. С увеличением температуры напряжение геометрического смещения уменьшается, поэтому при неизменных напряжениях в цепи базы транзистор можег выйти из строя. Получить необходимые изменения напряжения на базе, компенсирующие изменения геометрического смещения, можно, если снимать напряжение смещения, с потенциометра, одно из племен которого изменяет свое сопротивление с температурой. [22]
Конструктивные варианты узлов направления инструментов выбираются с учетом условий выполнения наладки и техобслуживания станка при ограниченном операционном пространстве. Применяются стационарные кондукторные плиты ( КП), устанавливаемые на столе и подвижные КП, подводимые при рабочем ходе агрегатной головки и фиксируемые на столе или на приспособлении. При применении стационарных КП точность расположения осей отверстий зависит, главным образом, от геометрического смещения инструмента, а для подвижных - от упругих отжатий КП и элементов их фиксации в момент обработки. Особенности использования стационарных и подвижных КП на АС рассмотрены выше применительно к спутникам АЛ. [23]
Страницы: 1 2